Texas Instruments CSD16301Q2

工厂交货时间

6 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

触点镀层

Tin

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3V 8V

Turn Off Delay Time

4.1 ns

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta

Number of Elements

1

系列

NexFET™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

CSD16301

引脚数量

6

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

2.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 4A, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.55V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

340pF @ 12.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.8nC @ 4.5V

上升时间

4.4ns

Vgs（最大值）

+10V, -8V

下降时间（典型值）

1.7 ns

连续放电电流(ID)

5A

阈值电压

1.2V

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.034Ohm

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

1.2 V

高度

800μm

长度

2mm

宽度

2mm

器件厚度

750μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅