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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.439593
10
¥8.905278
100
¥8.401202
500
¥7.925661
1000
¥7.477039
Texas Instruments CSD13380F3T
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- 对比
CSD13380F3T
2502-CSD13380F3T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, No Lead
大陆
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12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CSD13380F3T详情
Texas Instruments CSD13380F3T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, No Lead
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.3V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FemtoFET™
无铅代码
yes
零件状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
BOTTOM
基本部件号
CSD13380
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
76m Ω @ 400mA, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
156pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.2nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.1A
漏极-源极导通最大电阻
0.092Ohm
DS 击穿电压-最小值
12V
反馈上限-最大值 (Crss)
12.5 pF
长度
690μm
宽度
600μm
器件厚度
345μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CSD13380F3T拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
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