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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.414299
10
¥8.881415
100
¥8.378689
500
¥7.90443
1000
¥7.45701
Texas Instruments CSD13385F5T
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- 对比
CSD13385F5T
2502-CSD13385F5T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, No Lead
大陆
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12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CSD13385F5T详情
Texas Instruments CSD13385F5T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, No Lead
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.2V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FemtoFET™
无铅代码
yes
零件状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
BOTTOM
基本部件号
CSD13385
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
19m Ω @ 900mA, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
674pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
8V
DS 击穿电压-最小值
12V
长度
1.49mm
宽度
730μm
器件厚度
338μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CSD13385F5T拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
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