Texas Instruments CSD15380F3T
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CSD15380F3T
2502-CSD15380F3T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, No Lead
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MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR
--最小包装量--
CSD15380F3T详情
Texas Instruments CSD15380F3T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, No Lead
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
500mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 8V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FemtoFET™
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
CSD15380
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1190m Ω @ 100mA, 8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.35V @ 2.5μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10.5pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.281nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
10V
连续放电电流(ID)
500mA
阈值电压
1.1V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5A
漏极-源极导通最大电阻
4Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
反馈上限-最大值 (Crss)
0.17 pF
长度
690μm
宽度
600μm
器件厚度
345μm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CSD15380F3T拓展信息
Texas Instruments
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