Texas Instruments CSD18510Q5BT

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

156W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

基本部件号

CSD18510

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.96m Ω @ 32A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11400pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

153nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

42A

漏极-源极导通最大电阻

0.0016Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

40V

反馈上限-最大值 (Crss)

551 pF

长度

5mm

宽度

6mm

器件厚度

950μm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant