Texas Instruments CSD18512Q5B

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

211A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

139W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

not_compliant

基本部件号

CSD18512

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7120pF @ 20V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

32A

漏极-源极导通最大电阻

0.0023Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

205 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

333 pF

长度

5mm

宽度

6mm

器件厚度

950μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant