Texas Instruments CSD18543Q3AT

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

66W Tc

Turn Off Delay Time

8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

基本部件号

CSD18543

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15.6m Ω @ 12A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.7V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1150pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

12A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

55 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

反馈上限-最大值 (Crss)

6.2 pF

高度

900μm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

800μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant