Texas Instruments CSD18563Q5A-P
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CSD18563Q5A-P
2502-CSD18563Q5A-P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
--最小包装量--
CSD18563Q5A-P详情
Texas Instruments CSD18563Q5A-P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件包装
8-VSON (5x6)
RoHS
Non-Compliant
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
CSD18563
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A (Ta), 93A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
厂商
德州仪器
Power Dissipation (Max)
3.2W (Ta), 116W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
NexFET™
技术
MOSFET (Metal Oxide)
输出类型
TTL
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.8mOhm @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1500 pF @ 30 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
60 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
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CSD18563Q5A-P拓展信息
Texas Instruments
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