Texas Instruments CSD22205LT

工厂交货时间

16 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-XFLGA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

600mW Ta

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD22205

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.9m Ω @ 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.05V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1390pF @ 4V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

8V

Vgs（最大值）

-6V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

71A

DS 击穿电压-最小值

8V

反馈上限-最大值 (Crss)

250 pF

长度

1.16mm

宽度

1.16mm

器件厚度

330μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant