Texas Instruments CSD23280F3T

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FemtoFET™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

BOTTOM

基本部件号

CSD23280

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

116m Ω @ 400mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

0.95V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

234pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.23nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

-6V

连续放电电流(ID)

1.8A

阈值电压

-650mV

漏极-源极导通最大电阻

0.25Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

11.4A

DS 击穿电压-最小值

12V

反馈上限-最大值 (Crss)

11.1 pF

长度

690μm

宽度

600μm

器件厚度

345μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅