Texas Instruments CSD25301W1015

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UFBGA, DSBGA

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta

Turn Off Delay Time

29 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e1

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

CSD25301

引脚数量

6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.5nC @ 4.5V

上升时间

2ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

2.2A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

漏源击穿电压

20V

双电源电压

20V

栅源电压

750 mV

反馈上限-最大值 (Crss)

40 pF

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅