Texas Instruments CSD25302Q2

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.4W Ta

Turn Off Delay Time

8.6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

CSD25302

引脚数量

6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.4W

箱体转运

SOURCE

接通延迟时间

3.2 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

49m Ω @ 3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

350pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.4nC @ 4.5V

上升时间

13.2ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

1.3 ns

连续放电电流(ID)

5A

阈值电压

-650mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.092Ohm

漏源击穿电压

-20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

栅源电压

-650 mV

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅