Texas Instruments CSD25310Q2T

工厂交货时间

6 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta

Power Dissipation (Max)

2.9W Ta

Number of Elements

1

系列

NexFET™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

基本部件号

CSD25310

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23.9m Ω @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

655pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.7nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.089Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

DS 击穿电压-最小值

20V

反馈上限-最大值 (Crss)

21.7 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant