Texas Instruments CSD25402Q3AT

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Ta 76A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 69W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.9m Ω @ 10A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.15V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1790pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.7nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

35A

漏极-源极导通最大电阻

0.0159Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

148A

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

符合RoHS标准