Texas Instruments CSD25501F3T
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CSD25501F3T
2502-CSD25501F3T
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFLGA
大陆
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20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
--最小包装量--
CSD25501F3T详情
Texas Instruments CSD25501F3T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFLGA
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FemtoFET™
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
CSD25501
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
76m Ω @ 400mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.05V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
385pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.33nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
-20V
漏极-源极导通最大电阻
0.125Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
长度
690μm
宽度
600μm
器件厚度
200μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CSD25501F3T拓展信息
Texas Instruments
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