Texas Instruments CSD87381P
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CSD87381P
2502-CSD87381P
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
5-LGA
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MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II
--最小包装量--
CSD87381P详情
Texas Instruments CSD87381P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
5-LGA
引脚数
5
Turn Off Delay Time
16.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
4W
端子位置
UNSPECIFIED
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
CSD87381
输出的数量
1
最大输出电流
40A
输入电压-Nom
12V
模拟 IC - 其他类型
开关稳压器
元素配置
Single
功率耗散
4W
场效应管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
输入电压(最大)
24V
Rds On(Max)@Id,Vgs
16.3m Ω @ 8A, 8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.9V @ 250μA
每个通道的输出电流
15A
控制技术
脉宽调制
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
564pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5nC @ 4.5V
上升时间
16.3ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
2.9 ns
切换器配置
BUCK
连续放电电流(ID)
15A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
逻辑电平门
高度
480μm
长度
3mm
宽度
2.5mm
器件厚度
400μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CSD87381P拓展信息
Texas Instruments
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