Texas Instruments CSD87350Q5D
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CSD87350Q5D
2502-CSD87350Q5D
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerLDFN
大陆
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Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON EP T/R
--最小包装量--
CSD87350Q5D详情
Texas Instruments CSD87350Q5D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerLDFN
引脚数
8
Turn Off Delay Time
33 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
12W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27mm
基本部件号
CSD87350
引脚数量
9
输入电压-Nom
12V
模拟 IC - 其他类型
开关稳压器
元素配置
Dual
功率耗散
12W
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
输入电压(最大)
27V
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.9m Ω @ 20A, 8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
控制技术
脉宽调制
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1770pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.9nC @ 4.5V
上升时间
17ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
2.3 ns
切换器配置
BUCK
连续放电电流(ID)
40A
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
8V
开关频率-最大值
1500kHz
漏源击穿电压
30V
场效应管特性
逻辑电平门
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
6mm
器件厚度
1.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
CSD87350Q5D拓展信息
Texas Instruments
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