Texas Instruments TPS1100DRG4
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TPS1100DRG4
2502-TPS1100DRG4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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1600mA, 15V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, GREEN, SOIC-8
--最小包装量--
TPS1100DRG4详情
Texas Instruments TPS1100DRG4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
8
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
13 ns
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
791 mW
功率耗散
791 mW
接通延迟时间
4.5 ns
上升时间
10 ns
漏源电压 (Vdss)
15 V
连续放电电流(ID)
1.6 A
栅极至源极电压(Vgs)
2 V
漏源击穿电压
15 V
漏源电阻
180 mΩ
最大rds
180 mΩ
辐射硬化
无
无铅
含铅
TPS1100DRG4拓展信息
Texas Instruments
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