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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 RN1104MFV,L3F
RN1104MFV,L3F
RN1104MFV,L3F

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Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV,L3F

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型号

RN1104MFV,L3F

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN1104MFV,L3F

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SOT-723

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

起订量

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RN1104MFV,L3F
RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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RN1104MFV,L3F详情

技术参数

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Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV,L3F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-723

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 功率 - 最大

    150mW

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    80 @ 10mA 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    300mV @ 500μA, 5mA

  • 最大击穿电压

    50V

  • 电阻基(R1)

    47 k Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47 k Ω

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV,L3F.

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公司资质

ISO13485
AS
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DUNS
优势产品

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