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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 RN1441ATE85LF
RN1441ATE85LF
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Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF

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型号

RN1441ATE85LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN1441ATE85LF

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 300mA IC 20V VCEO

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RN1441ATE85LF
RN1441ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 300mA IC 20V VCEO

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RN1441ATE85LF详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 供应商器件包装

    S-Mini

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    20V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    300mA

  • hFEMin

    200

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    100mV

  • 最大集电极电流

    300mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    200 @ 4mA 2V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    100mV @ 3mA, 30mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    20V

  • 最大击穿电压

    20V

  • 频率转换

    30MHz

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    25V

  • 电阻基(R1)

    5.6 kOhms

  • 连续集电极电流

    300mA

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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