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1

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10

￥14.430937
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500

￥12.843482
1000

￥12.116491

Toshiba Semiconductor and Storage TK42E12N1,S1X

Name: TK42E12N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-TK42E12N1,S1X
Price: 15.3 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TK42E12N1,S1X

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TK42E12N1,S1X

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Ch 88A 140W FET 120V 3100pF 52nC

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TK42E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-Ch 88A 140W FET 120V 3100pF 52nC

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TK42E12N1,S1X详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage TK42E12N1,S1X重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

16 Weeks
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

88A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

140W Tc
Turn Off Delay Time

64 ns
操作温度

150°C TJ
包装

Tube
系列

U-MOSVIII-H
已出版

2014
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
元素配置

Single
功率耗散

140W
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

9.4m Ω @ 21A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3100pF @ 60V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

52nC @ 10V
上升时间

18ns
Vgs（最大值）

±20V
下降时间（典型值）

22 ns
连续放电电流(ID)

88A
栅极至源极电压(Vgs)

20V
漏源击穿电压

120V
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

TK42E12N1,S1X拓展信息

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