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Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R005PL,L1Q

Name: TPH1R005PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-TPH1R005PL,L1Q
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TPH1R005PL,L1Q

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TPH1R005PL,L1Q

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-PowerVDFN

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 45V 150A

起订量

1最小包装量--

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TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 45V 150A

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TPH1R005PL,L1Q详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R005PL,L1Q重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
包装/外壳

8-PowerVDFN
安装类型

表面贴装
底架

表面贴装
引脚数

8
供应商器件包装

8-SOP Advance (5x5)
Power Dissipation (Max)

960mW Ta 170W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

150A Tc
系列

U-MOSIX-H
已出版

2016
包装

Tape & Reel (TR)
操作温度

175°C TJ
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.04mOhm @ 50A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9600pF @ 22.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

99nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

45V
Vgs（最大值）

±20V
连续放电电流(ID)

150A
输入电容

9.6nF
最大rds

1.04 mΩ
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

TPH1R005PL,L1Q拓展信息

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