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技术文档
型号
HCT802
品牌
TT Electronics
utmel 编号
2577-HCT802
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF Bipolar Transistors MOSFET DEM Mosfet
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HCT802详情
技术参数
TT Electronics HCT802重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
OPTEK TECHNOLOGY INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
2 A
Number of Elements
2
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CDSO-N6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
5 Ω
DS 击穿电压-最小值
90 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
反馈上限-最大值 (Crss)
10 pF
HCT802拓展信息
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公司资质
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