您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 SI8902AEDB-T2-E1
SI8902AEDB-T2-E1
SI8902AEDB-T2-E1

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

VISHAY SI8902AEDB-T2-E1

  • 收藏
  • 对比

型号

SI8902AEDB-T2-E1

品牌

VISHAY

utmel 编号

2668-SI8902AEDB-T2-E1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
SI8902AEDB-T2-E1
SI8902AEDB-T2-E1 VISHAY Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SI8902AEDB-T2-E1详情

技术参数

VISHAY SI8902AEDB-T2-E1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • Type of transistor

    N-MOSFET x2

  • Polarisation

    unipolar

  • Drain-source voltage

    24V

  • Drain current

    11A

  • Pulsed drain current

    40A

  • Gate-source voltage

    ±12V

  • Mounting

    SMD

  • Kind of package

    reel,

  • Kind of channel

    enhanced

  • Gross weight

    0.001 g

  • Power dissipation

    5.7W

  • On-state resistance

    37mΩ

0个相似型号

SI8902AEDB-T2-E1拓展信息

热销零件

相关分类

热门搜索

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

IRFP460PPBF

型号：IRFP460PPBF

封装：--

品牌：Vishay

库存：0

询价
SI4599DY

型号：SI4599DY

封装：--

品牌：Vishay

库存：360000

询价
SI4621DY-T1-GE3

型号：SI4621DY-T1-GE3

封装：--

品牌：Vishay

库存：96300

询价
WSK250N03

型号：WSK250N03

封装：--

品牌：Vishay

库存：0

询价
JANSR2N7548T3

型号：JANSR2N7548T3

封装：--

品牌：Vishay

库存：0

询价
SQ4946AEY-T1_BE3

型号：SQ4946AEY-T1_BE3

封装：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

品牌：Vishay

库存：7500

询价