IRF610PBF
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Vishay Siliconix IRF610PBF

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型号

IRF610PBF

utmel 编号

2265-IRF610PBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB

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IRF610PBF
IRF610PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB

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IRF610PBF详情

Vishay Siliconix IRF610PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-220AB

  • 质量

    6.000006g

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.3A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    36W Tc

  • Turn Off Delay Time

    14 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    1997

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电阻

    1.5Ohm

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    200V

  • 额定电流

    3.3A

  • 通道数量

    1

  • 电压

    200V

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    36W

  • 接通延迟时间

    8.2 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.5Ohm @ 2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    140pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    8.2nC @ 10V

  • 上升时间

    17ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    200V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    8.9 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3.3A

  • 阈值电压

    4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    200V

  • 输入电容

    140pF

  • 恢复时间

    310 ns

  • 漏源电阻

    1.5Ohm

  • 最大rds

    1.5 Ω

  • 栅源电压

    4 V

  • 高度

    9.01mm

  • 长度

    10.41mm

  • 宽度

    4.7mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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