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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	表面安装	引脚数	终端数量																																																							操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	速度	操作模式	电源电流-最大值	数据总线宽度	组织结构	输出特性	内存宽度	待机电流-最大值	最高频率	锁相环	并行/串行	I/O类型	编程电压	刷新周期	自我刷新
RP-SDFC51DA1	Panasonic Electronic Components	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks		SD™			-40°C~85°C		2013	FX			活跃	1 (Unlimited)				85°C	-40°C																				512MB		Class 6																							符合RoHS标准
MT18VDDT6472G-26AG3	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Single	4	2	PC-2100	有	DIM	RDIMM	Socket	43.31(Max)	133.5(Max)	3.18(Max)	184	No Lead					EAR99	8473.30.11.40	DRAM模块	512Mbyte	18	256M	72	0.75	266	64Mx4	2.3	2.5	2.7	2700	0	70	Commercial	Double	有		Tray					Obsolete																	184														64Mx72							有					8K		有	184RDIMM					RoHS non-compliant
MTA16ATF1G64AZ-2G1A1	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	284	284	16	15	PC4-2133	有	Compliant	DIMM,	微电子组件	1000000000	UNSPECIFIED	MTA16ATF1G64AZ-2G1A1	1073741824 words	1.2 V	DIMM	RECTANGULAR	Micron Technology Inc	Obsolete	MICRON TECHNOLOGY INC	5.73		4A994.a	DRAM模块	8Gbyte	16	4G	64	2133	512Mx8	1.14	1.2	1.26	1520	0	95	Commercial	Double	无	Dual		Bulk					Obsolete				95 °C	0 °C	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1			compliant			R-XDMA-N284		1.2 V	1.26 V			1.14 V		1		SYNCHRONOUS		64 b	1Gx64		31.4 mm	64		68719476736 bit	107.5 MHz	无			DDR内存模块			双库页面突发	有	288UDIMM		133.35 mm	3.9 mm	无	是,有豁免
MT8JSF12864HZ-1G4F1	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	204	0	70	Commercial	Double	无	Single	8	9	PC3-10600	有	DIM	SODIMM	Socket	30.15(Max)	67.75(Max)	3.8(Max)	204	No Lead	EAR99	DRAM模块	1Gbyte	8	1G	64	1333	128Mx8	DIMM, DIMM204,24	微电子组件	1	128000000	5.81	MICRON TECHNOLOGY INC	Obsolete	Micron Technology Inc	RECTANGULAR	DIMM	1.5 V	134217728 words	667 MHz	MT8JSF12864HZ-1G4F1	有	70 °C	未说明	DIMM204,24	UNSPECIFIED		1.425	1.5	1.575	1760		Tray			e3	有	Obsolete				Matte Tin (Sn)			SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	ZIG-ZAG	无铅	225	1		0.6 mm	unknown		204	R-XZMA-N204	不合格		1.575 V	1.5,3.3 V	COMMERCIAL	1.425 V		1		SYNCHRONOUS	3.92 mA		128Mx64	3-STATE	30.15 mm	72	0.096 A	9663676416 bit		无	COMMON	DDR内存模块	8K	单库页面突发	有	204SODIMM	67.6 mm	3.8 mm	是,有豁免
MT16LSDT1664AG-13EG8	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Dual	4	2	PC-133	有	DIM	UDIMM	Socket	35.05(Max)	133.5(Max)	3.99(Max)	168	No Lead					EAR99	8542.32.00.02	DRAM模块	128Mbyte	16	64M	64	5.4	133	8Mx8	3	3.3	3.6	1216	0	65	Commercial	Double	无		Tray					Obsolete																	168														16Mx64							无					4K		有	168UDIMM					RoHS non-compliant
M471A1G43DB0-CPB	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	260	512Mx8	78FBGA	1.14	1.2	1.26	890	无	Dual	15	USODIMM	Socket	DIMM, DIMM260,20	微电子组件	1000000000	UNSPECIFIED	DIMM260,20	0.18 ns	85 °C	有	M471A1G43DB0-CPB	1066 MHz	1073741824 words	1.2 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	活跃	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.75			30	69.6	3.7(Max)	260	EAR99	8473.30.11.40	DRAM模块	8Gbyte	16	4G	64	2133						Obsolete							AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1		0.5 mm	compliant		260	R-XDMA-N260	不合格		1.26 V	1.2 V	OTHER	1.14 V		1		SYNCHRONOUS	1.31 mA		1Gx64	3-STATE	30.15 mm	64	0.12 A	68719476736 bit				COMMON	DDR内存模块		8192	双库页面突发	YES	260USODIMM	69.6 mm	3.7 mm	符合RoHS标准
CT12864Z335	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			EAR99	8473.30.11.40	DRAM模块	1Gbyte	64	333	2.5	无	2.5	PC-2700	DIM	UDIMM	Socket	184	No Lead									活跃																		184													128Mx64															184UDIMM					符合RoHS标准
MT36HTS1G72PY-667A1	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	有	DIM	RDIMM	Socket	30.15(Max)	133.5(Max)	4(Max)	240	No Lead					EAR99	DRAM模块	8Gbyte	36	4G(TwinDie)	72	667	1Gx4	1.7	1.8	1.9	3294	0	70	Commercial	Double	有	Dual	8	5	PC2-5300		Tray					Obsolete																	240														1Gx72							有					8K		有	240RDIMM					符合RoHS标准
MT18LSDT3272Y-133G2	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	PC-133	有	DIM	RDIMM	Socket	30.63(Max)	133.5(Max)	4(Max)	168	No Lead					EAR99	DRAM模块	256Mbyte	18	128M	72	6\|5.4	133	32Mx4	3	3.3	3.6	2700	0	55	Commercial	Double	有	Single	4		Tray					Obsolete																	168														32Mx72							有					4K		有	168RDIMM					是,有豁免
M471B5673EH1-CH9	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8	9	有	DIM	USODIMM	Socket	30	67.6	3.8(Max)	204	No Lead					4A994.a	DRAM模块	2Gbyte	16	1G	64	20	1333	128Mx8	FBGA	1.425	1.5	1.575	1360	0	95	Commercial	Double	无	Dual							Obsolete																	204														256Mx64							无							有	204USODIMM					符合RoHS标准
APCFA016GBAD-WBT	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	CFast					-40°C~85°C		2014	CFast 2H			不用于新设计	1 (Unlimited)																									16GB																									ROHS3 Compliant
AP-CF128ME3NR-ETNRQ	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4 Weeks	YES			CompactFlash®	-40°C~85°C		2013	CFCIII		yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	50	3A991.B.1.A				IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY	8542.32.00.51		UPPER	无铅	未说明	1	3.3V		unknown	未说明		R-XUUC-N50			3.465V			3.135V	128MB			ASYNCHRONOUS			128MX8			8	1073741824 bit			PARALLEL			3.3V					3.4mm	42.8mm	36.4mm		ROHS3 Compliant
AP-CF016GL9FS-NR	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4 Weeks		CompactFlash®			0°C~70°C		2012	CFC 5-M			不用于新设计	1 (Unlimited)																									16GB																									ROHS3 Compliant
AP-CF001GR9NS-ETNRA	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks		FLASH Card			-40°C~85°C		2013	CFC 5			不用于新设计	1 (Unlimited)																									1GB																									ROHS3 Compliant
AP-CF004GE3NR-ETNRQ	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4 Weeks	YES			CompactFlash®	-40°C~85°C		2014	CFCIII		yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	50	3A991.B.1.A				IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY	8542.32.00.51		UPPER	无铅	未说明	1	3.3V		unknown	未说明		R-XUUC-N50			3.465V			3.135V	4GB			ASYNCHRONOUS			4GX8			8	34359738368 bit			PARALLEL			3.3V					3.4mm	42.8mm	36.4mm		ROHS3 Compliant
AP-CF001GE3NR-ETNRQ	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4 Weeks	YES			CompactFlash®	-40°C~85°C		2014	CFCIII		yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	50	3A991.B.1.A				IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY	8542.32.00.51		UPPER	无铅	未说明	1	3.3V		unknown	未说明		R-XUUC-N50			3.465V			3.135V	1GB			ASYNCHRONOUS			1GX8			8	8589934592 bit			PARALLEL			3.3V					3.4mm	42.8mm	36.4mm		ROHS3 Compliant
AP-CF008GE3NR-ETNRQ	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4 Weeks	YES			CompactFlash®	-40°C~85°C		2014	CFCIII		yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	50	3A991.B.1.A				IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY	8542.32.00.51		UPPER	无铅	未说明	1	3.3V		unknown	未说明		R-XUUC-N50		5V					8GB			ASYNCHRONOUS			8GX8			8	68719476736 bit			PARALLEL			3.3V					3.4mm	42.8mm	36.4mm		ROHS3 Compliant
AP-ISD004GIA-1HTM	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4 Weeks		SD™			-40°C~85°C		2016				活跃																										4GB		Class 10, UHS Class 1																							ROHS3 Compliant
AP-CF512ME3NR-NDNRQ	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4 Weeks	YES			CompactFlash®	0°C~70°C		2013	CFCIII		yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	50	3A991.B.1.A				IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY	8542.32.00.51		UPPER	无铅	未说明	1	3.3V		unknown	未说明		R-XUUC-N50			3.465V			3.135V	512MB			ASYNCHRONOUS			512MX8			8	4294967296 bit			PARALLEL			3.3V					3.4mm	42.8mm	36.4mm		ROHS3 Compliant
AP-CF128GLAFS-ETNR	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	CompactFlash®					-40°C~85°C		2014	CF 6-M			不用于新设计	1 (Unlimited)																									128GB																									ROHS3 Compliant
APCFA032GBAD-WBT	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	CFast					-40°C~85°C		2014	CFast 2H			不用于新设计	1 (Unlimited)																									32GB																									ROHS3 Compliant
MT8HTF12864HTY-667E1	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5	PC2-5300	有	DIM	SODIMM	Socket	31.15(Max)	67.75(Max)	3.8(Max)	200	No Lead					4A994.a	8542.32.00.32	DRAM模块	1Gbyte	8	1G	64	667	64Mx16	1.7	1.8	1.9	900	-40	85	Industrial	Double	无	Dual	8		Tray					Obsolete																	200														128Mx64							无					8K		有	200SODIMM					符合RoHS标准
MT18HTF25672FDY-667E1D4	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	30.5(Max)	133.5(Max)	7.68(Max)	240	No Lead					EAR99	DRAM模块	2Gbyte	18	1G	72	667	128Mx8	1.7	1.8	1.9	0	95	Double	有	Dual	8	5	PC2-5300	有	DIM	FBDIMM	Socket							Obsolete																	240														256Mx72							无					8K		无	240FBDIMM					是,有豁免
KVR18R13D4/16	Kingston Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	30	133.35	3.64	240	No Lead					EAR99	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	933	1Gx4	FBGA	1.425	1.5	1.575	0	85	Double	有	Dual	13	PC3-14900	有	DIM	RDIMM	Socket							Obsolete																	240														2Gx72							有							有	240RDIMM					供应商未确认
MT8JSF12864HY-1G1D1	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	204	1.5	1.575	1520	0	70	Commercial	无	Single	7	DIM	SODIMM	Socket	30.15(Max)	67.75(Max)	3.8(Max)	204	No Lead	DIMM, DIMM204,24	微电子组件	128000000	PLASTIC/EPOXY	DIMM204,24	70 °C	有	MT8JSF12864HY-1G1D1	533 MHz	134217728 words	DIMM	RECTANGULAR	Micron Technology Inc	Obsolete	MICRON TECHNOLOGY INC	5.82			EAR99	8542.32.00.41	DRAM模块	1Gbyte	8	1G	64	1066	128Mx8	1.425	Tray					Obsolete									CMOS	DUAL	无铅				0.6 mm	unknown		204	R-PDMA-N204	不合格			1.5,3.3 V	COMMERCIAL						3.12 mA		128Mx64	3-STATE		64	0.08 A	8589934592 bit				COMMON	DDR内存模块		8192		204SODIMM				是,有豁免