类别是'category.存储卡' (4503)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

表面安装

引脚数

终端数量

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

电源电压

端子间距

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

电源

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

内存大小

端口的数量

速度

操作模式

电源电流-最大值

数据总线宽度

组织结构

输出特性

座位高度-最大

内存宽度

待机电流-最大值

记忆密度

最高频率

锁相环

并行/串行

I/O类型

内存IC类型

编程电压

刷新周期

访问模式

自我刷新

模块类型

座位高度(最大)

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

RP-SDFC51DA1
RP-SDFC51DA1
Panasonic Electronic Components 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

SD™

-40°C~85°C

2013

FX

活跃

1 (Unlimited)

85°C

-40°C

512MB

Class 6

符合RoHS标准

AP-CF128ME3NR-ETNRQ
AP-CF128ME3NR-ETNRQ
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

YES

CompactFlash®

-40°C~85°C

2013

CFCIII

yes

不用于新设计

1 (Unlimited)

50

3A991.B.1.A

IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY

8542.32.00.51

UPPER

无铅

未说明

1

3.3V

unknown

未说明

R-XUUC-N50

3.465V

3.135V

128MB

ASYNCHRONOUS

128MX8

8

1073741824 bit

PARALLEL

3.3V

3.4mm

42.8mm

36.4mm

ROHS3 Compliant

AP-CF016GL9FS-NR
AP-CF016GL9FS-NR
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

CompactFlash®

0°C~70°C

2012

CFC 5-M

不用于新设计

1 (Unlimited)

16GB

ROHS3 Compliant

AP-CF001GR9NS-ETNRA
AP-CF001GR9NS-ETNRA
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

FLASH Card

-40°C~85°C

2013

CFC 5

不用于新设计

1 (Unlimited)

1GB

ROHS3 Compliant

MT18LSDT3272Y-133G2
MT18LSDT3272Y-133G2
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3

PC-133

DIM

RDIMM

Socket

30.63(Max)

133.5(Max)

4(Max)

168

No Lead

EAR99

DRAM模块

256Mbyte

18

128M

72

6|5.4

133

32Mx4

3

3.3

3.6

2700

0

55

Commercial

Double

Single

4

Tray

Obsolete

168

32Mx72

4K

168RDIMM

是,有豁免

M471A1G43DB0-CPB
M471A1G43DB0-CPB
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

260

512Mx8

78FBGA

1.14

1.2

1.26

890

Dual

15

USODIMM

Socket

DIMM, DIMM260,20

微电子组件

1000000000

UNSPECIFIED

DIMM260,20

0.18 ns

85 °C

M471A1G43DB0-CPB

1066 MHz

1073741824 words

1.2 V

DIMM

RECTANGULAR

三星半导体

活跃

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.75

30

69.6

3.7(Max)

260

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

16

4G

64

2133

Obsolete

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

1

0.5 mm

compliant

260

R-XDMA-N260

不合格

1.26 V

1.2 V

OTHER

1.14 V

1

SYNCHRONOUS

1.31 mA

1Gx64

3-STATE

30.15 mm

64

0.12 A

68719476736 bit

COMMON

DDR内存模块

8192

双库页面突发

YES

260USODIMM

69.6 mm

3.7 mm

符合RoHS标准

MT16LSDT1664AG-13EG8
MT16LSDT1664AG-13EG8
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Dual

4

2

PC-133

DIM

UDIMM

Socket

35.05(Max)

133.5(Max)

3.99(Max)

168

No Lead

EAR99

8542.32.00.02

DRAM模块

128Mbyte

16

64M

64

5.4

133

8Mx8

3

3.3

3.6

1216

0

65

Commercial

Double

Tray

Obsolete

168

16Mx64

4K

168UDIMM

RoHS non-compliant

MT18VDDT6472G-26AG3
MT18VDDT6472G-26AG3
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Single

4

2

PC-2100

DIM

RDIMM

Socket

43.31(Max)

133.5(Max)

3.18(Max)

184

No Lead

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

512Mbyte

18

256M

72

0.75

266

64Mx4

2.3

2.5

2.7

2700

0

70

Commercial

Double

Tray

Obsolete

184

64Mx72

8K

184RDIMM

RoHS non-compliant

CT12864Z335
CT12864Z335
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

1Gbyte

64

333

2.5

2.5

PC-2700

DIM

UDIMM

Socket

184

No Lead

活跃

184

128Mx64

184UDIMM

符合RoHS标准

MTA16ATF1G64AZ-2G1A1
MTA16ATF1G64AZ-2G1A1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

284

284

16

15

PC4-2133

Compliant

DIMM,

微电子组件

1000000000

UNSPECIFIED

MTA16ATF1G64AZ-2G1A1

1073741824 words

1.2 V

DIMM

RECTANGULAR

Micron Technology Inc

Obsolete

MICRON TECHNOLOGY INC

5.73

4A994.a

DRAM模块

8Gbyte

16

4G

64

2133

512Mx8

1.14

1.2

1.26

1520

0

95

Commercial

Double

Dual

Bulk

Obsolete

95 °C

0 °C

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

1

compliant

R-XDMA-N284

1.2 V

1.26 V

1.14 V

1

SYNCHRONOUS

64 b

1Gx64

31.4 mm

64

68719476736 bit

107.5 MHz

DDR内存模块

双库页面突发

288UDIMM

133.35 mm

3.9 mm

是,有豁免

MT8JSF12864HZ-1G4F1
MT8JSF12864HZ-1G4F1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

204

0

70

Commercial

Double

Single

8

9

PC3-10600

DIM

SODIMM

Socket

30.15(Max)

67.75(Max)

3.8(Max)

204

No Lead

EAR99

DRAM模块

1Gbyte

8

1G

64

1333

128Mx8

DIMM, DIMM204,24

微电子组件

1

128000000

5.81

MICRON TECHNOLOGY INC

Obsolete

Micron Technology Inc

RECTANGULAR

DIMM

1.5 V

134217728 words

667 MHz

MT8JSF12864HZ-1G4F1

70 °C

未说明

DIMM204,24

UNSPECIFIED

1.425

1.5

1.575

1760

Tray

e3

Obsolete

Matte Tin (Sn)

SELF REFRESH; WD-MAX

CMOS

ZIG-ZAG

无铅

225

1

0.6 mm

unknown

204

R-XZMA-N204

不合格

1.575 V

1.5,3.3 V

COMMERCIAL

1.425 V

1

SYNCHRONOUS

3.92 mA

128Mx64

3-STATE

30.15 mm

72

0.096 A

9663676416 bit

COMMON

DDR内存模块

8K

单库页面突发

204SODIMM

67.6 mm

3.8 mm

是,有豁免

M471B5673EH1-CH9
M471B5673EH1-CH9
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8

9

DIM

USODIMM

Socket

30

67.6

3.8(Max)

204

No Lead

4A994.a

DRAM模块

2Gbyte

16

1G

64

20

1333

128Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

1360

0

95

Commercial

Double

Dual

Obsolete

204

256Mx64

204USODIMM

符合RoHS标准

MT36HTS1G72PY-667A1
MT36HTS1G72PY-667A1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DIM

RDIMM

Socket

30.15(Max)

133.5(Max)

4(Max)

240

No Lead

EAR99

DRAM模块

8Gbyte

36

4G(TwinDie)

72

667

1Gx4

1.7

1.8

1.9

3294

0

70

Commercial

Double

Dual

8

5

PC2-5300

Tray

Obsolete

240

1Gx72

8K

240RDIMM

符合RoHS标准

APCFA016GBAD-WBT
APCFA016GBAD-WBT
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

CFast

-40°C~85°C

2014

CFast 2H

不用于新设计

1 (Unlimited)

16GB

ROHS3 Compliant

AP-CF004GE3NR-ETNRQ
AP-CF004GE3NR-ETNRQ
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

YES

CompactFlash®

-40°C~85°C

2014

CFCIII

yes

不用于新设计

1 (Unlimited)

50

3A991.B.1.A

IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY

8542.32.00.51

UPPER

无铅

未说明

1

3.3V

unknown

未说明

R-XUUC-N50

3.465V

3.135V

4GB

ASYNCHRONOUS

4GX8

8

34359738368 bit

PARALLEL

3.3V

3.4mm

42.8mm

36.4mm

ROHS3 Compliant

AP-CF001GE3NR-ETNRQ
AP-CF001GE3NR-ETNRQ
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

YES

CompactFlash®

-40°C~85°C

2014

CFCIII

yes

不用于新设计

1 (Unlimited)

50

3A991.B.1.A

IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY

8542.32.00.51

UPPER

无铅

未说明

1

3.3V

unknown

未说明

R-XUUC-N50

3.465V

3.135V

1GB

ASYNCHRONOUS

1GX8

8

8589934592 bit

PARALLEL

3.3V

3.4mm

42.8mm

36.4mm

ROHS3 Compliant

AP-CF008GE3NR-ETNRQ
AP-CF008GE3NR-ETNRQ
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

YES

CompactFlash®

-40°C~85°C

2014

CFCIII

yes

不用于新设计

1 (Unlimited)

50

3A991.B.1.A

IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY

8542.32.00.51

UPPER

无铅

未说明

1

3.3V

unknown

未说明

R-XUUC-N50

5V

8GB

ASYNCHRONOUS

8GX8

8

68719476736 bit

PARALLEL

3.3V

3.4mm

42.8mm

36.4mm

ROHS3 Compliant

AP-ISD004GIA-1HTM
AP-ISD004GIA-1HTM
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

SD™

-40°C~85°C

2016

活跃

4GB

Class 10, UHS Class 1

ROHS3 Compliant

AP-CF512ME3NR-NDNRQ
AP-CF512ME3NR-NDNRQ
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

YES

CompactFlash®

0°C~70°C

2013

CFCIII

yes

不用于新设计

1 (Unlimited)

50

3A991.B.1.A

IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY

8542.32.00.51

UPPER

无铅

未说明

1

3.3V

unknown

未说明

R-XUUC-N50

3.465V

3.135V

512MB

ASYNCHRONOUS

512MX8

8

4294967296 bit

PARALLEL

3.3V

3.4mm

42.8mm

36.4mm

ROHS3 Compliant

AP-CF128GLAFS-ETNR
AP-CF128GLAFS-ETNR
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

CompactFlash®

-40°C~85°C

2014

CF 6-M

不用于新设计

1 (Unlimited)

128GB

ROHS3 Compliant

APCFA032GBAD-WBT
APCFA032GBAD-WBT
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

CFast

-40°C~85°C

2014

CFast 2H

不用于新设计

1 (Unlimited)

32GB

ROHS3 Compliant

MT18HTF25672FDY-667E1D4
MT18HTF25672FDY-667E1D4
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

30.5(Max)

133.5(Max)

7.68(Max)

240

No Lead

EAR99

DRAM模块

2Gbyte

18

1G

72

667

128Mx8

1.7

1.8

1.9

0

95

Double

Dual

8

5

PC2-5300

DIM

FBDIMM

Socket

Obsolete

240

256Mx72

8K

240FBDIMM

是,有豁免

KVR18R13D4/16
KVR18R13D4/16
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

30

133.35

3.64

240

No Lead

EAR99

DRAM模块

16Gbyte

36

4G

72

933

1Gx4

FBGA

1.425

1.5

1.575

0

85

Double

Dual

13

PC3-14900

DIM

RDIMM

Socket

Obsolete

240

2Gx72

240RDIMM

供应商未确认

MT8JSF12864HY-1G1D1
MT8JSF12864HY-1G1D1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

204

1.5

1.575

1520

0

70

Commercial

Single

7

DIM

SODIMM

Socket

30.15(Max)

67.75(Max)

3.8(Max)

204

No Lead

DIMM, DIMM204,24

微电子组件

128000000

PLASTIC/EPOXY

DIMM204,24

70 °C

MT8JSF12864HY-1G1D1

533 MHz

134217728 words

DIMM

RECTANGULAR

Micron Technology Inc

Obsolete

MICRON TECHNOLOGY INC

5.82

EAR99

8542.32.00.41

DRAM模块

1Gbyte

8

1G

64

1066

128Mx8

1.425

Tray

Obsolete

CMOS

DUAL

无铅

0.6 mm

unknown

204

R-PDMA-N204

不合格

1.5,3.3 V

COMMERCIAL

3.12 mA

128Mx64

3-STATE

64

0.08 A

8589934592 bit

COMMON

DDR内存模块

8192

204SODIMM

是,有豁免

MT8HTF12864HTY-667E1
MT8HTF12864HTY-667E1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5

PC2-5300

DIM

SODIMM

Socket

31.15(Max)

67.75(Max)

3.8(Max)

200

No Lead

4A994.a

8542.32.00.32

DRAM模块

1Gbyte

8

1G

64

667

64Mx16

1.7

1.8

1.9

900

-40

85

Industrial

Double

Dual

8

Tray

Obsolete

200

128Mx64

8K

200SODIMM

符合RoHS标准