类别是'category.USB闪存驱动器' (1612)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

表面安装

引脚数

终端数量

包装

JESD-609代码

零件状态

ECCN 代码

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

子类别

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

端子间距

Reach合规守则

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

电源电压-最大值(Vsup)

电源

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

界面

最大电源电压

最小电源电压

电源电流

操作模式

电源电流-最大值

访问时间

建筑学

组织结构

座位高度-最大

内存宽度

地址总线宽度

密度

待机电流-最大值

记忆密度

并行/串行

同步/异步

字长

内存IC类型

编程电压

备用内存宽度

数据轮询

拨动位

命令用户界面

扇区/尺寸数

行业规模

页面尺寸

准备就绪/忙碌

引导模块

通用闪存接口

库存数量

长度

宽度

辐射硬化

M29W800DT90N6
M29W800DT90N6
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

2.7 to 3.6

10

20

-40

85

Industrial

100000

表面贴装

1

18.4

12

48

SOP

TSOP

Gull-wing

不合规

EAR99

NOR

8M

Asymmetrical

Top

20/19

8/16

1M/512K

Asynchronous

90

25/Chip

60000/Chip

35

Parallel

2.7

3|3.3

3.6

Tube

Obsolete

48

Sectored

8Kbyte x 2|16Kbyte x 1|32Kbyte x 1|64Kbyte x 15

M58LW032D90ZA6
M58LW032D90ZA6
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3|3.3

3.6

2.7 to 3.6

20

29@33MHz

30

-40

85

Industrial

表面贴装

0.85(Max)

10

13

64

BGA

TBGA

Ball

不合规

3A991.b.1.a

NOR

32M

Symmetrical

22/21

8/16

4M/2M

Asynchronous

90

110/Chip

25

0.048/Byte

25

Parallel

2.7

Tray

Obsolete

64

Sectored

128Kbyte x 32

4Words/8byte

M29W160DB90N1
M29W160DB90N1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20

0

70

Commercial

100000

表面贴装

1.05(Max)

18.5(Max)

12.1(Max)

48

SOP

TSOP

Gull-wing

供应商未确认

EAR99

NOR

16M

Asymmetrical

Bottom

21/20

8/16

2M/1M

Asynchronous

90

120/Chip

0.2/Byte

35

Parallel

2.7

3|3.3

3.6

2.7 to 3.6

10

Tube

Obsolete

48

Sectored

8Kbyte x 2|16Kbyte x 1|32Kbyte x 1|64Kbyte x 31

M29W040B70N1
M29W040B70N1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Commercial

表面贴装

1.05(Max)

18.5(Max)

8.1(Max)

32

SOP

TSOP

Gull-wing

不合规

EAR99

NOR

4M

Symmetrical

19

8

512K

Asynchronous

70

35/Chip

30000/Chip

30

Parallel

2.7

3.3

3.6

2.7 to 3.6

10

20

0

70

Tube

Obsolete

32

Sectored

64Kbyte x 8

NAND512W3A2BN6F
NAND512W3A2BN6F
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

1

18.4

12

48

SOP

TSOP

Gull-wing

Compliant

3A991.b.1.a

SLC NAND

512M

Symmetrical

27

8

64M

Asynchronous

12000

0.003/Block

50(Min)

0.5/Page

Parallel

2.7

3|3.3

3.6

20

20

-40

85

Industrial

卷带

Unconfirmed

48

Sectored

16Kbyte x 4096

256Words/512byte

M29W800DT70N6T
M29W800DT70N6T
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

48

48

NOR

8M

Asymmetrical

Top

20/19

8/16

1M/512K

Asynchronous

70

25/Chip

60000/Chip

30

Parallel

2.7

3|3.3

3.6

2.7 to 3.6

10

20

-40

85

Industrial

100000

表面贴装

1

18.4

12

48

SOP

TSOP

Gull-wing

Compliant

NOR

12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

512000

PLASTIC/EPOXY

TSSOP48,.8,20

-40 °C

未说明

70 ns

85 °C

M29W800DT70N6T

3 V

TSSOP

RECTANGULAR

STMicroelectronics

Obsolete

STMICROELECTRONICS

5.36

TSOP

不合规

EAR99

卷带

e0

Obsolete

EAR99

NOR型号

锡铅

85 °C

-40 °C

TOP BOOT BLOCK

8542.32.00.51

闪存

CMOS

DUAL

鸥翼

未说明

1

0.5 mm

unknown

48

R-PDSO-G48

不合格

3.6 V

3/3.3 V

INDUSTRIAL

2.7 V

Parallel

ASYNCHRONOUS

0.02 mA

Sectored

512KX16

1.2 mm

16

8 Mb

0.0001 A

8388608 bit

PARALLEL

FLASH

3 V

8

YES

YES

YES

1,2,1,15

8Kbyte x 2|16Kbyte x 1|32Kbyte x 1|64Kbyte x 15

YES

YES

18.4 mm

12 mm

M29W400DB55ZE1E
M29W400DB55ZE1E
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20

0

70

Commercial

100000

表面贴装

0.9

6

8

48

BGA

TFBGA

Ball

Compliant

EAR99

NOR

4M

Asymmetrical

Bottom

19/18

8/16

512K/256K

Asynchronous

55

12/Chip

30000/Chip

30

Parallel

2.7

3|3.3

3.6

2.7 to 3.6

10

Tube

Obsolete

48

Sectored

8Kbyte x 2|16Kbyte x 1|32Kbyte x 1|64Kbyte x 7

NAND01GW3B2AN6E
NAND01GW3B2AN6E
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

1

18.4

12

48

SOP

TSOP

Gull-wing

Compliant

3A991.b.1.a

NAND

1G

Symmetrical

28

8

128M

Asynchronous

25000

0.003/Block

0.7/Page

Parallel

2.7

3|3.3

3.6

2.7 to 3.6

30

30

-40

85

Industrial

Tray

Obsolete

48

Sectored

128Kbyte x 1024

1KWords/2Kbyte

NAND01GR3B2CZA6F
NAND01GR3B2CZA6F
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

63

Asynchronous

25000

0.003/Block

45(Min)

0.7/Page

Parallel

1.7

1.8

1.95

20

20

-40

85

表面贴装

0.7(Max)

9

11

63

BGA

VFBGA

Ball

TFBGA,

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

128000000

PLASTIC/EPOXY

-40 °C

未说明

25000 ns

85 °C

NAND01GR3B2CZA6F

1.8 V

TFBGA

RECTANGULAR

STMicroelectronics

Transferred

STMICROELECTRONICS

5.37

BGA

Compliant

3A991.b.1.a

NAND

1G

Symmetrical

28

8

128M

卷带

Obsolete

3A991.B.1.A

8542.32.00.51

CMOS

BOTTOM

BALL

未说明

1

0.8 mm

compliant

63

R-PBGA-B63

不合格

1.95 V

INDUSTRIAL

1.7 V

ASYNCHRONOUS

Sectored

128MX8

1.05 mm

8

1073741824 bit

PARALLEL

FLASH

1.8 V

128Kbyte x 1024

2Kbyte

11 mm

9 mm

W25Q32JVXGIM/REEL
W25Q32JVXGIM/REEL
Winbond Electronics Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

100000

表面贴装

0.43

4

4

8

XSON EP

Compliant

3A991.b.1.a

NOR

32M

Symmetrical

Bottom|Top

24

8

4M

Synchronous

6

50/Chip

3/Page

Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI)

2.7

3|3.3

3.6

2.7 to 3.6

25

25

-40

85

Industrial

Tube

活跃

8

Sectored

4Kbyte x 1024

256byte

W25Q128JVSJQ/TUBE
W25Q128JVSJQ/TUBE
Winbond Electronics Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

Unknown

Unknown

活跃

NAND512W3A0AN6
NAND512W3A0AN6
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

48

Industrial

表面贴装

1

18.4

12

48

SOP

TSOP

Gull-wing

Compliant

SLC NAND

不合规

3A991.b.1.a

SLC NAND

512M

Symmetrical

27

8

64M

Asynchronous

12000

0.003/Block

50(Min)

0.5/Page

Parallel

2.7

3.3|3

3.6

20

20

-40

85

Tube

Unconfirmed

85 °C

-40 °C

48

Parallel

3.6 V

2.7 V

20 mA

12 µs

Sectored

25 b

512 Mb

Asynchronous

8 b

16Kbyte x 4096

256Words/512byte

W25Q16JVUXAQ/REEL
W25Q16JVUXAQ/REEL
Winbond Electronics Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

Unknown

Unconfirmed

K9F1G08U0A-PCB000
K9F1G08U0A-PCB000
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

1G

Symmetrical

Asynchronous

Parallel

2.7

3.3

3.6

Unconfirmed

Sectored

K9F5608U0B-YCB0000
K9F5608U0B-YCB0000
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SLC NAND

256M

Symmetrical

8

8

32M

Asynchronous

10000

0.003/Block

50(Min)

0.5/Page

Parallel

2.7

3.3

3.6

20

20

0

70

Commercial

不合规

3A991.b.1.a

Tray

Unconfirmed

Sectored

16Kbyte x 2048

512byte

K9F4G08U0F-SIB0TCV
K9F4G08U0F-SIB0TCV
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3.3

3.6

供应商未确认

4G

Symmetrical

Asynchronous

Parallel

2.7

Preliminary

Sectored

KFM2G16Q2B-HEB8000
KFM2G16Q2B-HEB8000
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

Compliant

Obsolete

K9F5608U0C-PIB000
K9F5608U0C-PIB000
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

1

18.4

12

48

SOP

TSOP-I

Gull-wing

Compliant

3A991.b.1.a

SLC NAND

256M

Symmetrical

25

8

32M

Asynchronous

10000

0.003/Block

50(Min)

0.5/Page

Parallel

2.7

3.3

3.6

20

25

-40

85

Industrial

Unconfirmed

48

Sectored

16Kbyte x 2048

512byte

KLM8G1GESD-B03P017
KLM8G1GESD-B03P017
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

64G

Synchronous

Serial e-MMC

1.7|2.7

1.8|3.3

1.95|3.6

0.8

11.5

13

供应商未确认

Obsolete

Sectored

K9F2G08U0D-SCB0000
K9F2G08U0D-SCB0000
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

Unconfirmed

K9K8G08U0F-SIB0T00
K9K8G08U0F-SIB0T00
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Compliant

8G

Symmetrical

Asynchronous

Parallel

2.7

3.3

3.6

Preliminary

Sectored

K9F4G08U0F-SIB00CV
K9F4G08U0F-SIB00CV
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3.3

3.6

供应商未确认

4G

Symmetrical

Asynchronous

Parallel

2.7

Preliminary

Sectored

K9F2808U0C-YCB000
K9F2808U0C-YCB000
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

1

18.4

12

48

SOP

TSOP-I

Gull-wing

不合规

3A991.b.1.a

SLC NAND

128M

Symmetrical

24

8

16M

Asynchronous

0.003/Block

50(Min)

0.5/Chip

Parallel

2.7

3.3

3.6

20

20

0

70

Commercial

Tray

Obsolete

48

Sectored

16Kbyte x 1024

512byte

K8P6415UQB-DI4BT
K8P6415UQB-DI4BT
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Parallel

2.7

3

3.6

2.7 to 3.6

55

15

30

-40

85

Industrial

表面贴装

0.58

6

8

48

BGA

FBGA

Ball

Compliant

3A991.b.1.a

NOR

64M

Asymmetrical

Bottom|Top

22

8/8/24/24Mb

16

4M

Asynchronous

60

113.6/Chip

25

50400/Chip

25

CMOS

卷带

Obsolete

48

Sectored

8Kbyte x 16|64Kbyte x 126

8Words

4

K9F4G08U0F-SIB0000
K9F4G08U0F-SIB0000
Samsung Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3.3

3.6

供应商未确认

4G

Symmetrical

Asynchronous

Parallel

2.7

Preliminary

Sectored