类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 最大结点温度(Tj) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 高度(毫米) | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CM500HA-34A | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Details | 1700 V | 5000 W | 2.2 V | 500 A | - 40 C | + 150 C | 3 uA | 20 V | Screw | 10 | CM500HA-34A | Single | Single | IGBT硅模块 | 25 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2757 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Panel, Screw | 底座安装 | Module | 4 | SILICON | 1.7V | 1.2kV | 1 | -40°C~125°C | 2012 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | 2.25kW | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | R-XUFM-X5 | Single | 2.25kW | ISOLATED | 2250W | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 650A | 5mA | 1200V | 400 ns | 2.15V @ 15V, 400A | 830 ns | 无 | 28nF @ 25V | 36.5mm | 106.4mm | 61.4mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT35GT120JU3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | ISOTOP-4 | SOT-227 | Details | 1200 V | 260 W | 1.7 V | 55 A | - 55 C | + 150 C | 500 nA | 20 V | SMD/SMT | 1 | 微芯片技术 | Bulk | 55 A | APT35GT120 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Single | 260 | 260 W | Standard | 5 mA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 35A | 55 | 沟渠现场停车 | 无 | 2.53 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12KE3B9BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 26 | SILICON | 1.7V | 6 | -40°C~125°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 26 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 三相逆变器 | 355W | ISOLATED | 355W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 105A | 1mA | 1200V | 340 ns | 2.15V @ 15V, 75A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 5.3nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF150R12MS4GBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2196 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 11 | SILICON | 3.7V | 2 | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | 不合格 | 2 Independent | Dual | 1.25kW | ISOLATED | 1250W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 225A | 5mA | 1200V | 180 ns | 3.7V @ 15V, 150A | 590 ns | 有 | 11nF @ 25V | 符合RoHS标准 | Contains Lead, Lead Free | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L400R07ME4B23BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2 | 450A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 11 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X11 | 2 Independent | ISOLATED | 1150W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 650V | 1150W | 260 ns | 1.95V @ 15V, 400A | 758 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 26nF @ 25V | 1.95 V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXDN75N120 | IXYS | 数据表 | 135 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 28 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | 38.000013g | SILICON | 2.2V | 1 | 1.2kV | -40°C~150°C TJ | 2000 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | Nickel (Ni) | UL 认证 | 660W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | ISOLATED | 660W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 150A | 4mA | 1200V | 5.5nF | 150 ns | 2.7V @ 15V, 75A | 700 ns | NPT | 无 | 20V | 5.5nF @ 25V | 2.7 V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM400DU-12NFH | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 960 W | 2 V | 400 A | - 40 C | + 150 C | 0.5 uA | 10 | Details | 600 V | Dual | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R07W2E3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 39 Weeks | Screw | Module | 18 | 1.7V | 6 | 2006 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 18 | EAR99 | 150°C | -40°C | 275W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | COMPLEX | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | 650V | 95A | 650V | 44 ns | 258 ns | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R12KS4CBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 24 | SILICON | 3.2V | 7 | -40°C~125°C | 2001 | no | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | Single | 230W | ISOLATED | 360W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 70A | 5mA | 1200V | 110 ns | 3.7V @ 15V, 50A | 460 ns | 有 | 3.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF300R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2558 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 600A | 2 | -40°C~150°C | 2002 | EconoDUAL™ 3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X11 | 半桥 | ISOLATED | 20mW | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1200V | 240 ns | 2.1V @ 15V, 300A | 720 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 18.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F4150R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2642 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 230A | 4 | -40°C~150°C | 2002 | EconoDUAL™ 3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 13 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X13 | 全桥 | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1700V | 270 ns | 2.3V @ 15V, 150A | 780 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 12nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FS450R17KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 803 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 605A | 6 | -40°C~125°C | 2002 | EconoPACK™+ | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 29 | R-XUFM-X29 | 不合格 | 全桥 | ISOLATED | 2250W | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1700V | 400 ns | 2.45V @ 15V, 450A | 1300 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 40.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS35R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 1 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | PCB, Screw | 底座安装 | Module | 28 | SILICON | 6 | -40°C~125°C | 2002 | EconoPACK™ 2 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | 210W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 28 | 不合格 | 全桥逆变器 | ISOLATED | 210W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 55A | 5mA | 1200V | 140 ns | 2.15V @ 15V, 35A | 610 ns | 有 | 2.5nF @ 25V | 17mm | 107.5mm | 45mm | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R12ME4PB11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2108 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1.75V | 2 | 490 ns | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 11 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X11 | 2 Independent | ISOLATED | 190 ns | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 3mA | 1200V | 290 ns | 2.1V @ 15V, 450A | 150°C | 450A | 740 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 28nF @ 25V | 17.5mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP35R12W2T4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 18 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 70A | 7 | -40°C~150°C | EasyPIM™ 2B | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X35 | 三相逆变器 | ISOLATED | 20mW | N-CHANNEL | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 43 ns | 2.2V @ 15V, 35A | 510 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT60GT60JRD | Atmel (Microchip Technology) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | SOT-227-4 | 378 W | - 55 C | 2 V | 93 A | + 150 C | 20 V | 100 nA | 螺钉安装 | 1 | 2 oz | 600 V | Tube | Single | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MII300-12A4 | IXYS | 数据表 | 772 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 28 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | Y3-DCB | 7 | SILICON | 1.2kV | 2 | -40°C~150°C TJ | 2009 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | UL 认证 | 1.38kW | UPPER | UNSPECIFIED | MII | 7 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 1380W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 2.7V | 330A | 13mA | 1200V | 13nF | 160 ns | 2.7V @ 15V, 200A | 690 ns | NPT | 无 | 20V | 13nF @ 25V | 30mm | 110mm | 62mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP25R12KT4B15BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1.85V | 25A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 24 | EAR99 | UL认证 | 160W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X24 | 三相逆变器 | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 1mA | 1200V | 210 ns | 2.15V @ 15V, 25A | 620 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.45nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP25R12U1T4BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 39A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | no | 不用于新设计 | 不适用 | 23 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 35 | R-XUFM-X23 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 190W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 47 ns | 2.25V @ 15V, 25A | 520 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.45nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R07N2E4B11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 3000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 42 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 31 | SILICON | 70A | 7 | -40°C~150°C | Bulk | 2002 | 活跃 | 不适用 | 31 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 650V | 70A | 1mA | 43 ns | 1.95V @ 15V, 50A | 265 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP15R12KE3GBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 1480 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 24 | SILICON | 25A | 7 | -40°C~125°C | no | 活跃 | 不适用 | 24 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 24 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 105W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 135 ns | 2.15V @ 15V, 15A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGF90A60T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1-12 | SP1 | Details | 600 V | 416 W | 2 V | 110 A | - 40 C | + 100 C | 150 nA | 20 V | 底座安装 | 50 | 微芯片技术 | 2.821917 oz | Bulk | 110 A | Obsolete | - | - | 半桥 | 416 W | Standard | 250 µA | 600 V | 2.5V @ 15V, 90A | NPT | 有 | 4.3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT50GT120JU2 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SOT-227-4 | SOT-227 | Details | 1.2 kV | 347 W | 1.7 V | 75 A | - 55 C | + 150 C | 500 nA | 20 V | 通孔 | 1 | 微芯片技术 | 1.058219 oz | Bulk | 75 A | Obsolete | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Single | 347 | 347 W | Standard | 5 mA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 50A | 75 | 沟渠现场停车 | 无 | 3.6 nF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT100GT60JRDQ4 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | ISOTOP-4 | ISOTOP® | Details | 600 V | 500 W | 2.1 V | 148 A | - 55 C | + 150 C | 300 nA | 30 V | SMD/SMT | 1 | 微芯片技术 | 1.030000 oz | Tube | 148 A | APT100 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | Thunderbolt IGBT® | Single | 500 W | Standard | 50 µA | 600 V | 2.5V @ 15V, 100A | NPT | 无 | 5.15 nF @ 25 V | IGBT碳化硅模块 |
CM500HA-34A
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ400R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
901.522447
APT35GT120JU3
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS75R12KE3B9BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF150R12MS4GBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,027.351730
F3L400R07ME4B23BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
IXDN75N120
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
292.129737
CM400DU-12NFH
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS75R07W2E3B11ABOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
567.430929
FP50R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF300R12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
781.132254
F4150R17ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,324.651680
FS450R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
5,375.853249
FS35R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
560.519724
FF450R12ME4PB11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,081.337735
FP35R12W2T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
339.483882
APT60GT60JRD
Atmel (Microchip Technology)
分类:Transistors - IGBTs - Modules
MII300-12A4
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP25R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP25R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP50R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP15R12KE3GBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
384.341043
APTGF90A60T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT50GT120JU2
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT100GT60JRDQ4
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
