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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	质量	终端数量	晶体管元件材料				Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C			Gate-Emitter Leakage Current					厂商																										操作温度	包装	已出版	系列	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	最大功率耗散	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	输出电压	最大输出电流	工作电源电压	极性	配置	最大电源电压	最小电源电压	工作电源电流	元素配置	输出电流	箱体转运	输入类型	接通延迟时间	功率 - 最大	晶体管应用	无卤素	极性/通道类型	输入	集电极发射器电压(VCEO)	最大集电极电流	工作温度范围	最大集极截止电流	电压 - 集射极击穿（最大值）	输入电容	驱动器数量	最大耗散功率(Abs)	接通时间	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	集电极电流-最大值(IC)	最大结点温度（Tj）	连续集电极电流	关断时间-标准值（toff)	集电极-发射器电压-最大值	栅极-发射极电压-最大值	输入电容(Cies)@Vce	高度
APTGL60DDA120T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 1 month ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP3-32	16	SP3	1.85 V	80 A	400 nA	微芯片技术							Details	1.2 kV	280 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	5.783519 oz	Bulk	80 A	APTGL60	活跃	1.2 kV	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-								175 °C	-40 °C		280 W													Dual				Dual						280 W				Standard	1.2 kV	80 A		250 µA	1200 V	2.77 nF				2.25V @ 15V, 50A		80		沟渠现场停车		有		2.77 nF @ 25 V		IGBT硅模块
F3L200R12W2H3B11BPSA1	Infineon Technologies	数据表	2 In Stock	1: ¥512.731749 10: ¥483.709196 100: ¥456.329431 500: ¥430.499464 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON		100A	4											-40°C~150°C		2002				活跃	1 (Unlimited)	32					UL认证		UPPER	UNSPECIFIED						R-XUFM-X32						三相逆变器							ISOLATED		600W	电源控制	不含卤素	N-CHANNEL	Standard				1mA	1200V				190 ns	1.75V @ 15V, 100A				480 ns			有		11.5nF @ 25V							符合RoHS标准	含铅
APT80GP60B2G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	T-Max-3	T-MAX™ [B2]	2.2 V	100 A	100 nA	微芯片技术									Details	600 V	1041 W	- 55 C	+ 150 C	20 V	通孔	1	Tube	100 A	APT80GP60	活跃			Tube		POWER MOS 7®																								Single								Standard		1041 W									600 V					2.7V @ 15V, 80A				PT						IGBT硅模块
FP150R12KT4BPSA1	Infineon Technologies	数据表	6000 In Stock	1: ¥400.753002 10: ¥378.068868 100: ¥356.668742 500: ¥336.479950 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON		150A	7											-40°C~150°C TJ		2002	EconoPIM™3		yes	活跃	1 (Unlimited)	43	EAR99				UL 认证		UPPER	UNSPECIFIED	未说明			未说明		R-XUFM-X43						三相逆变器							ISOLATED			电源控制		N-CHANNEL	三相桥式整流器				1mA	1200V				270 ns	2.1V @ 15V, 150A				750 ns	沟渠现场停车		有		9.35nF @ 25V							ROHS3 Compliant
APTGT50DDA120T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP3F-32	NO	32	SP3	25	SILICON	Details	1200 V	270 W	1.7 V	75 A	- 40 C	+ 125 C	400 nA	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	微芯片技术	Bulk	75 A	APTGT50	活跃	8541290080	420 ns	1.2 kV	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25	FLANGE MOUNT	1	UNSPECIFIED	140 ns	610 ns	未说明	150 °C	有	APTGT50DDA120T3G	RECTANGULAR	2	活跃	MICROSEMI CORP	5.17				-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-	e1	有			EAR99	锡银铜	150 °C	-40 °C	雪崩额定	270 W	UPPER	UNSPECIFIED	未说明	compliant			25	R-XUFM-X25	不合格					Dual				Dual	270 W		ISOLATED	90 ns	270 W	电源控制		N-CHANNEL	Standard	1.2 kV	75 A		250 µA	1200 V	3.6 nF				2.1V @ 15V, 50A	75 A	175 °C	75		沟渠现场停车	1200 V	有	3.6 nF @ 25 V	IGBT硅模块	12.1 mm	无
FP40R12KT3BOSA1	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	12 Weeks	底座安装	Module	NO	24	SILICON										55A		7	-40°C~125°C		2002			no	活跃	不适用	24	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED	未说明			未说明	24		不合格					三相逆变器							ISOLATED		210W		不含卤素	N-CHANNEL	Standard				5mA	1200V				140 ns	2.3V @ 15V, 40A				610 ns			有		2.5nF @ 25V							符合RoHS标准	含铅
FP20R06W1E3B11BOMA1	Infineon Technologies	数据表	66 In Stock	1: ¥213.317208 10: ¥201.242652 100: ¥189.851555 500: ¥179.105245 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	Screw	底座安装	Module	23	SILICON										27A		7	-40°C~150°C		2002				活跃	不适用	23	EAR99				UL认证		UPPER	UNSPECIFIED	未说明			未说明								三相逆变器							ISOLATED		94W	电源控制	不含卤素	N-CHANNEL	Standard	600V	27A		1mA					37 ns	2V @ 15V, 20A				250 ns	沟渠现场停车		有		1.1nF @ 25V							符合RoHS标准	含铅
APT40GL120JU3	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis, Screw, Stud	Chassis, Stud Mount	ISOTOP-4	4	SOT-227	1.85 V	65 A	400 nA	微芯片技术					Details	1200 V	220 W	- 55 C	+ 175 C	20 V	SMD/SMT	1	Bulk	65 A	APT40GL120	活跃	1.2 kV			-55°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-											220 W													Single				Single	220					220 W				Standard	2.25 V	65 A		250 µA	1200 V	1.95 nF				2.25V @ 15V, 35A		65		沟渠现场停车		无		1.95 nF @ 25 V		IGBT硅模块
APT150GN60J	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SOT-227-4	ISOTOP®	1.5 V	220 A	600 nA	微芯片技术	220 A	APT150	活跃										Details	600 V	536 W	- 55 C	+ 175 C	30 V	底座安装	1	ISOTOP	1.058219 oz	Tube	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																								Single										536 W				Standard			- 55 C to + 175 C	25 µA	600 V					1.85V @ 15V, 150A				沟渠现场停车		无		9.2 nF @ 25 V		IGBT硅模块	9.6 mm	38.2 mm	25.4 mm
F3L100R12W2H3B11BPSA1	Infineon Technologies	数据表	51 In Stock	1: ¥352.858568 10: ¥332.885440 100: ¥314.042868 500: ¥296.266856 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	Tin	Screw	底座安装	Module	SILICON										100A		4	-40°C~150°C		2002				活跃	1 (Unlimited)	32	EAR99				UL认证		UPPER	UNSPECIFIED						R-XUFM-X32						三相逆变器							ISOLATED		375W	GENERAL PURPOSE	不含卤素	N-CHANNEL	Standard	1.2kV			1mA	1200V				175 ns	1.75V @ 15V, 50A				465 ns			有		6.15nF @ 25V							符合RoHS标准	含铅
FZ400R12KE4HOSA1	Infineon Technologies	数据表	16 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	Screw	底座安装	Module	4	SILICON	1.75V			1								-40°C~150°C TJ		2002			yes	活跃	1 (Unlimited)	3	EAR99					2.4kW	UPPER	UNSPECIFIED	未说明			未说明	5	R-XUFM-X3	不合格					Single							ISOLATED		2400W	电源控制		N-CHANNEL	Standard	1.2kV	400A		5mA	1200V				370 ns	2.1V @ 15V, 400A				810 ns	沟渠现场停车		有		28nF @ 25V							ROHS3 Compliant
FZ900R12KE4HOSA1	Infineon Technologies	数据表	2950 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	Screw	底座安装	Module	4	2.1V	1											900A	-40°C~150°C TJ		2016	C		yes	活跃	1 (Unlimited)	5	EAR99						UPPER						5	R-XUFM-X5						Single					4.3kW		ISOLATED		4300W				Standard	1.2kV			5mA	1200V				370 ns	2.1V @ 15V, 900A				810 ns	沟渠现场停车		无		56nF @ 25V							ROHS3 Compliant
FF200R06KE3HOSA1	Infineon Technologies	数据表	31 In Stock	1: ¥644.587884 10: ¥608.101782 100: ¥573.680924 500: ¥541.208417 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	Screw	底座安装	Module	7										2			-40°C~150°C TJ		2002	C		yes	活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99						UPPER						7							半桥				Dual			ISOLATED		680W		不含卤素		Standard	600V	260A		5mA					190 ns	1.9V @ 15V, 200A				600 ns	沟渠现场停车		无									ROHS3 Compliant	无铅
APTGT50SK170TG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP4	20	SP4	2 V	75 A	400 nA	微芯片技术							Details	1.7 kV	312 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	75 A	APTGT50	活跃	1.7 kV	-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-								150 °C	-40 °C		312 W													Single				Single						312 W				Standard	1.7 kV	75 A		250 µA	1700 V	4.4 nF				2.4V @ 15V, 50A		75		沟渠现场停车		有		4.4 nF @ 25 V		IGBT硅模块				无
2ED300C17STROHSBPSA1	Infineon Technologies	数据表	2474 In Stock	1: ¥1,346.500021 10: ¥1,270.283041 100: ¥1,198.380228 500: ¥1,130.547385 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	26 Weeks	表面贴装	通孔	Module	18		400 ns	Industrial grade											-40°C~85°C	卷带	2008	EiceDriver™			活跃	1 (Unlimited)																	20V	30A	15V		2 Independent	16V	14V	80mA	Dual		30A		400 ns			不含卤素		Standard					1700V		2										无									符合RoHS标准	含铅
APT75GP120JDQ3	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SOT-227-4	ISOTOP®	3.3 V	128 A	100 nA	微芯片技术	128 A	APT75GP120	活跃										Details	1200 V	543 W	- 55 C	+ 150 C	20 V	底座安装	1	POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP	1.058219 oz	Tube	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tube		POWER MOS 7®																								Single					543					543 W				Standard			- 55 C to + 150 C	1.25 mA	1200 V					3.9V @ 15V, 75A		128		PT		无		7.04 nF @ 25 V		IGBT硅模块	9.6 mm	38.2 mm	25.4 mm
FP35R12W2T4B11BOMA1	Infineon Technologies	数据表	73 In Stock	1: ¥406.224330 10: ¥383.230502 100: ¥361.538206 500: ¥341.073785 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON		54A	7											-40°C~150°C TJ		2002				活跃	1 (Unlimited)	23	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED	未说明			未说明		R-XUFM-X23						三相逆变器							ISOLATED		215W	电源控制	不含卤素	N-CHANNEL	Standard				1mA	1200V				43 ns	2.25V @ 15V, 35A				510 ns	沟渠现场停车		有		2nF @ 25V							ROHS3 Compliant	含铅
APTGT150TA60PG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6-P	21	SP6-P	1.5 V	225 A	400 nA	微芯片技术							Details	600 V	480 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	225 A	APTGT150	活跃	600 V	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-								175 °C	-40 °C		480 W													3-Phase					480					480 W				Standard	600 V	225 A		250 µA	600 V	9.2 nF				1.9V @ 15V, 150A		225		沟渠现场停车		无		9.2 nF @ 25 V		IGBT硅模块				无
FS100R17N3E4BOSA1	Infineon Technologies	数据表	36 In Stock	1: ¥671.036732 10: ¥633.053525 100: ¥597.220303 500: ¥563.415377 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	底座安装	Module								100A	1							-40°C~150°C TJ		2002			no	活跃	1 (Unlimited)		EAR99								未说明			未说明								三相逆变器									600W		不含卤素		Standard				1mA	1700V			600W		2.3V @ 15V, 100A					沟渠现场停车		有	20V	9nF @ 25V	2.3 V						ROHS3 Compliant	含铅
FF600R12KE4BOSA1	Infineon Technologies	数据表	2872 In Stock	1: ¥1,260.293068 10: ¥1,188.955727 100: ¥1,121.656346 500: ¥1,058.166362 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	底座安装	Module	NO					600A	2									-40°C~150°C		2002	C			活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99				UL认证		UPPER							R-XUFM-X7						半桥							ISOLATED						Standard				5mA	1200V				232 ns	2.2V @ 15V, 600A				630 ns	沟渠现场停车		无		38nF @ 25V							ROHS3 Compliant
APT75GP120J	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SOT-227-4	4	ISOTOP®	30.000004 g	3.3 V	128 A	100 nA	微芯片技术	APT75GP120	活跃	1.2 kV	1.2 kV	163 ns						Details	1.2 kV	543 W	- 55 C	+ 150 C	20 V	底座安装	1	POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP	1.058219 oz	Tube	128 A	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tube		POWER MOS 7®								150 °C	-55 °C		543 W					128 A								Single				Single	543				20 ns	543 W				Standard	1.2 kV	128 A	- 55 C to + 150 C	1 mA	1200 V	7.04 nF			3.9V @ 15V, 75A			128		PT		无		7.04 nF @ 25 V		IGBT硅模块	9.6 mm	38.2 mm	25.4 mm	无			无铅
FF150R17KE4HOSA1	Infineon Technologies	数据表	2686 In Stock	1: ¥839.908409 10: ¥792.366427 100: ¥747.515493 500: ¥705.203297 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	Screw	Module	7	2.45V			1.7kV	2											Bulk	2002			yes	活跃	1 (Unlimited)	5	EAR99		150°C	-40°C		1.1kW	UPPER	UNSPECIFIED	未说明			未说明	7	R-XUFM-X5	不合格				NPN					Dual			ISOLATED			电源控制				1.7kV	250A							355 ns					930 ns											Unknown	ROHS3 Compliant
FF100R12KS4HOSA1	Infineon Technologies	数据表	29 In Stock	1: ¥720.287827 10: ¥679.516818 100: ¥641.053603 500: ¥604.767550 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	NO	SILICON					150A	2									-40°C~125°C		2002			yes	活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED					7	R-XUFM-X7						2 Independent				Dual			ISOLATED		780W		不含卤素	N-CHANNEL	Standard				5mA	1200V				180 ns	3.7V @ 15V, 100A				590 ns			无		650nF @ 25V							符合RoHS标准	无铅
APTGL240TL120G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP6	SP6	1.8 V	305 A	微芯片技术	APTGL240	活跃										Details	1.2 kV	1 kW	- 40 C	+ 100 C		20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	305 A	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																								三级逆变器										1000 W				Standard				2 mA	1200 V					2.2V @ 15V, 200A		305		沟渠现场停车		无		12.3 nF @ 25 V		IGBT硅模块
FF150R12KT3GHOSA1	Infineon Technologies	数据表	39 In Stock	1: ¥395.935444 10: ¥373.524005 100: ¥352.381137 500: ¥332.435038 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON		225A	2											-40°C~125°C		2002			yes	活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED					7	R-XUFM-X7						单斩波器				Dual			ISOLATED		780W	电源控制	不含卤素	N-CHANNEL	Standard				5mA	1200V				215 ns	2.15V @ 15V, 150A				680 ns	沟渠现场停车		无		11nF @ 25V							符合RoHS标准	无铅