类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

输出电压

最大输出电流

工作电源电压

极性

配置

最大电源电压

最小电源电压

工作电源电流

元素配置

功率耗散

输出电流

箱体转运

输入类型

接通延迟时间

功率 - 最大

晶体管应用

无卤素

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

工作温度范围

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

驱动器数量

最大耗散功率(Abs)

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

最大结点温度(Tj)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

产品

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

F3L100R07W2E3B11BOMA1
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies 数据表

1 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

32 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

117A

4

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

14

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X14

三相逆变器

ISOLATED

300W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

650V

95 ns

1.9V @ 15V, 100A

345 ns

沟渠现场停车

有

6.2nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

F3L200R12W2H3B11BPSA1
F3L200R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

2 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

100A

4

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

32

UL认证

UPPER

UNSPECIFIED

R-XUFM-X32

三相逆变器

ISOLATED

600W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

190 ns

1.75V @ 15V, 100A

480 ns

有

11.5nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

APT80GP60B2G
APT80GP60B2G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

T-Max-3

T-MAX™ [B2]

2.2 V

100 A

100 nA

微芯片技术

Details

600 V

1041 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

通孔

1

Tube

100 A

APT80GP60

活跃

Tube

POWER MOS 7®

Single

Standard

1041 W

600 V

2.7V @ 15V, 80A

PT

IGBT硅模块

FP150R12KT4BPSA1
FP150R12KT4BPSA1
Infineon Technologies 数据表

6000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

150A

7

-40°C~150°C TJ

2002

EconoPIM™3

yes

活跃

1 (Unlimited)

43

EAR99

UL 认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X43

三相逆变器

ISOLATED

电源控制

N-CHANNEL

三相桥式整流器

1mA

1200V

270 ns

2.1V @ 15V, 150A

750 ns

沟渠现场停车

有

9.35nF @ 25V

ROHS3 Compliant

APTGT50DDA120T3G
APTGT50DDA120T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3F-32

NO

32

SP3

25

SILICON

Details

1200 V

270 W

1.7 V

75 A

- 40 C

+ 125 C

400 nA

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

微芯片技术

Bulk

75 A

APTGT50

活跃

8541290080

420 ns

1.2 kV

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

140 ns

610 ns

未说明

150 °C

有

APTGT50DDA120T3G

RECTANGULAR

2

活跃

MICROSEMI CORP

5.17

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

150 °C

-40 °C

雪崩 额定

270 W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

25

R-XUFM-X25

不合格

Dual

Dual

270 W

ISOLATED

90 ns

270 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2 kV

75 A

250 µA

1200 V

3.6 nF

2.1V @ 15V, 50A

75 A

175 °C

75

沟渠现场停车

1200 V

有

3.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

12.1 mm

无

FP40R12KT3BOSA1
FP40R12KT3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

24

SILICON

55A

7

-40°C~125°C

2002

no

活跃

不适用

24

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

24

不合格

三相逆变器

ISOLATED

210W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

140 ns

2.3V @ 15V, 40A

610 ns

有

2.5nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FP20R06W1E3B11BOMA1
FP20R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies 数据表

66 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Screw

底座安装

Module

23

SILICON

27A

7

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

23

EAR99

UL认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

三相逆变器

ISOLATED

94W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

600V

27A

1mA

37 ns

2V @ 15V, 20A

250 ns

沟渠现场停车

有

1.1nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

APT40GL120JU3
APT40GL120JU3
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis, Screw, Stud

Chassis, Stud Mount

ISOTOP-4

4

SOT-227

1.85 V

65 A

400 nA

微芯片技术

Details

1200 V

220 W

- 55 C

+ 175 C

20 V

SMD/SMT

1

Bulk

65 A

APT40GL120

活跃

1.2 kV

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

220 W

Single

Single

220

220 W

Standard

2.25 V

65 A

250 µA

1200 V

1.95 nF

2.25V @ 15V, 35A

65

沟渠现场停车

无

1.95 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APT150GN60J
APT150GN60J
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

1.5 V

220 A

600 nA

微芯片技术

220 A

APT150

活跃

Details

600 V

536 W

- 55 C

+ 175 C

30 V

底座安装

1

ISOTOP

1.058219 oz

Tube

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

536 W

Standard

- 55 C to + 175 C

25 µA

600 V

1.85V @ 15V, 150A

沟渠现场停车

无

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

F3L100R12W2H3B11BPSA1
F3L100R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies 数据表

51 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Tin

Screw

底座安装

Module

SILICON

100A

4

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

32

EAR99

UL认证

UPPER

UNSPECIFIED

R-XUFM-X32

三相逆变器

ISOLATED

375W

GENERAL PURPOSE

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

1mA

1200V

175 ns

1.75V @ 15V, 50A

465 ns

有

6.15nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FZ400R12KE4HOSA1
FZ400R12KE4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

16 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Screw

底座安装

Module

4

SILICON

1.75V

1

-40°C~150°C TJ

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

3

EAR99

2.4kW

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

5

R-XUFM-X3

不合格

Single

ISOLATED

2400W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

400A

5mA

1200V

370 ns

2.1V @ 15V, 400A

810 ns

沟渠现场停车

有

28nF @ 25V

ROHS3 Compliant

FZ900R12KE4HOSA1
FZ900R12KE4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2950 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Screw

底座安装

Module

4

2.1V

1

900A

-40°C~150°C TJ

2016

C

yes

活跃

1 (Unlimited)

5

EAR99

UPPER

5

R-XUFM-X5

Single

4.3kW

ISOLATED

4300W

Standard

1.2kV

5mA

1200V

370 ns

2.1V @ 15V, 900A

810 ns

沟渠现场停车

无

56nF @ 25V

ROHS3 Compliant

FF200R06KE3HOSA1
FF200R06KE3HOSA1
Infineon Technologies 数据表

31 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Screw

底座安装

Module

7

2

-40°C~150°C TJ

2002

C

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

7

半桥

Dual

ISOLATED

680W

不含卤素

Standard

600V

260A

5mA

190 ns

1.9V @ 15V, 200A

600 ns

沟渠现场停车

无

ROHS3 Compliant

无铅

APTGT50SK170TG
APTGT50SK170TG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP4

20

SP4

2 V

75 A

400 nA

微芯片技术

Details

1.7 kV

312 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

75 A

APTGT50

活跃

1.7 kV

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

312 W

Single

Single

312 W

Standard

1.7 kV

75 A

250 µA

1700 V

4.4 nF

2.4V @ 15V, 50A

75

沟渠现场停车

有

4.4 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

APT75GP120JDQ3
APT75GP120JDQ3
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

3.3 V

128 A

100 nA

微芯片技术

128 A

APT75GP120

活跃

Details

1200 V

543 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

底座安装

1

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

1.058219 oz

Tube

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

POWER MOS 7®

Single

543

543 W

Standard

- 55 C to + 150 C

1.25 mA

1200 V

3.9V @ 15V, 75A

128

PT

无

7.04 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

2ED300C17STROHSBPSA1
2ED300C17STROHSBPSA1
Infineon Technologies 数据表

2474 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

26 Weeks

表面贴装

通孔

Module

18

400 ns

Industrial grade

-40°C~85°C

卷带

2008

EiceDriver™

活跃

1 (Unlimited)

20V

30A

15V

2 Independent

16V

14V

80mA

Dual

30A

400 ns

不含卤素

Standard

1700V

2

无

符合RoHS标准

含铅

FP35R12W2T4B11BOMA1
FP35R12W2T4B11BOMA1
Infineon Technologies 数据表

73 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

54A

7

-40°C~150°C TJ

2002

活跃

1 (Unlimited)

23

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X23

三相逆变器

ISOLATED

215W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

43 ns

2.25V @ 15V, 35A

510 ns

沟渠现场停车

有

2nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

APTGT150TA60PG
APTGT150TA60PG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6-P

21

SP6-P

1.5 V

225 A

400 nA

微芯片技术

Details

600 V

480 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

225 A

APTGT150

活跃

600 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

480 W

3-Phase

480

480 W

Standard

600 V

225 A

250 µA

600 V

9.2 nF

1.9V @ 15V, 150A

225

沟渠现场停车

无

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

FS100R17N3E4BOSA1
FS100R17N3E4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

36 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

100A

1

-40°C~150°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

EAR99

未说明

未说明

三相逆变器

600W

不含卤素

Standard

1mA

1700V

600W

2.3V @ 15V, 100A

沟渠现场停车

有

20V

9nF @ 25V

2.3 V

ROHS3 Compliant

含铅

FF600R12KE4BOSA1
FF600R12KE4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2872 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

600A

2

-40°C~150°C

2002

C

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UL认证

UPPER

R-XUFM-X7

半桥

ISOLATED

Standard

5mA

1200V

232 ns

2.2V @ 15V, 600A

630 ns

沟渠现场停车

无

38nF @ 25V

ROHS3 Compliant

APT75GP120J
APT75GP120J
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SOT-227-4

4

ISOTOP®

30.000004 g

3.3 V

128 A

100 nA

微芯片技术

APT75GP120

活跃

1.2 kV

1.2 kV

163 ns

Details

1.2 kV

543 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

底座安装

1

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

1.058219 oz

Tube

128 A

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

POWER MOS 7®

150 °C

-55 °C

543 W

128 A

Single

Single

543

20 ns

543 W

Standard

1.2 kV

128 A

- 55 C to + 150 C

1 mA

1200 V

7.04 nF

3.9V @ 15V, 75A

128

PT

无

7.04 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

无

无铅

FF150R17KE4HOSA1
FF150R17KE4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2686 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Screw

Module

7

2.45V

1.7kV

2

Bulk

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

5

EAR99

150°C

-40°C

1.1kW

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

7

R-XUFM-X5

不合格

NPN

Dual

ISOLATED

电源控制

1.7kV

250A

355 ns

930 ns

Unknown

ROHS3 Compliant

FF100R12KS4HOSA1
FF100R12KS4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

29 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

NO

SILICON

150A

2

-40°C~125°C

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-XUFM-X7

2 Independent

Dual

ISOLATED

780W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

180 ns

3.7V @ 15V, 100A

590 ns

无

650nF @ 25V

符合RoHS标准

无铅

APTGL240TL120G
APTGL240TL120G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

1.8 V

305 A

微芯片技术

APTGL240

活跃

Details

1.2 kV

1 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

305 A

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

三级逆变器

1000 W

Standard

2 mA

1200 V

2.2V @ 15V, 200A

305

沟渠现场停车

无

12.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FF150R12KT3GHOSA1
FF150R12KT3GHOSA1
Infineon Technologies 数据表

39 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

225A

2

-40°C~125°C

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

7

R-XUFM-X7

单斩波器

Dual

ISOLATED

780W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

215 ns

2.15V @ 15V, 150A

680 ns

沟渠现场停车

无

11nF @ 25V

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无铅