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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	质量	终端数量	晶体管元件材料					Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C			Gate-Emitter Leakage Current					厂商																											操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	最大功率耗散	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	功率耗散	箱体转运	输入类型	功率 - 最大	晶体管应用	无卤素	极性/通道类型	输入	集电极发射器电压(VCEO)	最大集电极电流	工作温度范围	最大集极截止电流	电压 - 集射极击穿（最大值）	输入电容	最大耗散功率(Abs)	接通时间	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	集电极电流-最大值(IC)	连续集电极电流	关断时间-标准值（toff)	IGBT类型	集电极-发射器电压-最大值	Td（开/关）@25°C
FZ3600R12HP4HOSA2	Infineon Technologies	数据表	923 In Stock	1: ¥12,209.732972 10: ¥11,808.252390 25: ¥11,726.169205 50: ¥11,644.656614 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	50 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON								4930A	3				-40°C~150°C		2002				活跃	1 (Unlimited)	9	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED						R-XUFM-X9		单开关			ISOLATED		19000W	电源控制	不含卤素	N-CHANNEL	Standard	1.2kV	4.93kA		5mA	1200V			890 ns	2.05V @ 15V, 3600A			1550 ns	Trench						无		225nF @ 25V								ROHS3 Compliant	无铅
APTGTQ100SK65T1G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP1	NO	SP1	10	SILICON	1.65 V	100 A	底座安装	240 nA	1	2.821917 oz	Bulk	100 A	微芯片技术	APTGTQ100	活跃	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10	FLANGE MOUNT	UNSPECIFIED	35 ns	-40 °C	231 ns	175 °C	有	APTGTQ100SK65T1G	RECTANGULAR	1	活跃	MICROSEMI CORP	5.72						650 V	250 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-												UPPER	UNSPECIFIED		compliant				R-XUFM-X10		Single			ISOLATED		250 W	MOTOR CONTROL		N-CHANNEL	Standard				100 µA	650 V		250 W		2.2V @ 15V, 100A	100 A			-	650 V					有	20 V	6 nF @ 25 V	2.2 V	4.7 V	IGBT硅模块
FF200R12KE3HOSA1	Infineon Technologies	数据表	9800 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON				2								-40°C~125°C		2002			yes	活跃	1 (Unlimited)	7	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED	未说明			未说明	7	R-XUFM-X7	不合格	2 Independent	Dual		ISOLATED		1050W		不含卤素	N-CHANNEL	Standard				5mA	1200V			400 ns	2.15V @ 15V, 200A			830 ns							有		14nF @ 25V								符合RoHS标准	无铅
APTCV40H60CT1G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP1-12	SP1	1.5 V	80 A	600 nA	微芯片技术	Bulk	80 A	APTCV40	活跃									Details	600 V	176 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	2.821917 oz	Case SP-1	电源模块	螺钉安装	-40 to 150 °C	Tube		-																		12			全桥					176 W				Standard				250 µA	600 V				1.9V @ 15V, 50A				沟渠现场停车						有		3.15 nF @ 25 V			IGBT硅模块
APTGT30H60T1G	Atmel (Microchip Technology)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	SP1-12	1.5 V	50 A	300 nA				20 V	底座安装	1	2.821917 oz	+ 100 C	- 40 C	90 W	600 V	Details										Tube																							全桥																																	IGBT硅模块
APT100GN120J	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SOT-227-4	4	ISOTOP®	30.000004 g	1.7 V	153 A	600 nA	微芯片技术					Details	1.2 kV	446 W	- 55 C	+ 150 C	30 V	底座安装	1	ISOTOP	1.058219 oz	Tube	153 A	APT100	活跃	1.2 kV	1.2 kV	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-								150 °C	-55 °C		446 W					153 A					Single	Single	446			446 W				Standard	1.2 kV	153 A	- 55 C to + 150 C	100 µA	1200 V	6.5 nF			2.1V @ 15V, 100A		153		沟渠现场停车						无		6.5 nF @ 25 V			IGBT硅模块	9.6 mm	38.2 mm	25.4 mm			无铅
FF1800R17IP5BPSA1	Infineon Technologies	数据表	697 In Stock	1: ¥7,241.362030 10: ¥6,831.473615 100: ¥6,444.786426 500: ¥6,079.987192 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	Module	NO	SILICON	2											300A		-40°C~125°C		2002	PrimePACK™3+			活跃	1 (Unlimited)	14	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED						R-PUFM-X14		半桥逆变器			ISOLATED			电源控制		N-CHANNEL	Standard				5mA	1200V			530 ns	2.15V @ 15V, 300A			1060 ns	沟渠现场停车						无		21nF @ 25V								ROHS3 Compliant
APT100GT120JR	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	ISOTOP-4	4	ISOTOP®	3.2 V	123 A	600 nA	微芯片技术	Details	1.2 kV	570 W	- 55 C	+ 150 C	20 V	SMD/SMT	1	Tube	123 A	APT100	活跃	1.2 kV						-55°C ~ 150°C (TJ)	Tube		Thunderbolt IGBT®								150 °C	-55 °C		570 W										Single	Single				570 W				Standard	1.2 kV	123 A		100 µA	1200 V	6.7 nF			3.7V @ 15V, 100A				NPT						无		6.7 nF @ 25 V			IGBT碳化硅模块				无
FZ2400R17HP4HOSA2	Infineon Technologies	数据表	730 In Stock	1: ¥4,786.555547 10: ¥4,515.618443 100: ¥4,260.017399 500: ¥4,018.884337 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	50 Weeks	Screw	Module	7														2002				活跃	1 (Unlimited)																		Dual									1.7kV	2.4kA																										无	ROHS3 Compliant
APTGT300SK60D3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	D3-11	5	D3	1.5 V	400 A	400 nA	微芯片技术	Details	600 V	940 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	Bulk	400 A	APTGT300	活跃	600 V						-	Bulk		-								175 °C	-40 °C		940 W										Single	Single				940 W				Standard	600 V	400 A		500 µA	600 V	18.5 nF			1.9V @ 15V, 300A		400		沟渠现场停车						无		18.5 nF @ 25 V			IGBT硅模块
APT40GLQ120JCU2	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Chassis, Stud Mount	ISOTOP-4	SOT-227	2.05 V	80 A	120 nA	微芯片技术					Details	1.2 kV	312 W	- 55 C	+ 150 C	20 V	SMD/SMT	1	Bulk	80 A	APT40GLQ120	活跃					-55°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-																					Single		312			312 W				Standard				25 µA	1200 V				2.4V @ 15V, 40A		80		沟渠现场停车						无		2.3 nF @ 25 V			IGBT硅模块
FF225R17ME4BOSA1	Infineon Technologies	数据表	250 In Stock	1: ¥742.469674 10: ¥700.443087 100: ¥660.795363 500: ¥623.391857 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	Screw	底座安装	Module	11	SILICON										2	-40°C~150°C		2002	EconoDUAL™ 3		no	活跃	不适用	11	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED	未说明			未说明	11		不合格	2 Independent	Dual		ISOLATED		1500W	电源控制		N-CHANNEL	Standard	1.7kV	340A		3mA	1700V			350 ns	2.3V @ 15V, 225A			1500 ns	沟渠现场停车						有		18.5nF @ 25V								符合RoHS标准
APT50GR120L	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	TO-264-3	TO-264	3.5 V	117 A	250 nA	微芯片技术									Details	1200 V	694 W	- 55 C	+ 150 C	30 V	通孔	1	0.352740 oz	Tube	117 A	APT50GR120	活跃	600V, 50A, 4.3Ohm, 15V	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-																					Single				Standard	694 W									1200 V				3.2V @ 15V, 50A				NPT		445 nC	200 A	28ns/237ns	2.14mJ (on), 1.48mJ (off)						IGBT硅模块
APTGT50A170TG	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP4	4	SP4	2 V	75 A	400 nA	微芯片技术			Details	1.7 kV	312 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	75 A	APTGT50	活跃	1.7 kV				-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-											312 W										Dual	Dual				312 W				Standard	2.4 V	75 A		250 µA	1700 V	4.4 nF			2.4V @ 15V, 50A		75		沟渠现场停车						有		4.4 nF @ 25 V			IGBT硅模块				无
APTGLQ100A65T1G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	SP1-12	SP1	1.85 V	135 A	150 nA	微芯片技术							Details	650 V	350 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	2.821917 oz	Bulk	200 A	APTGLQ100	活跃			-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																					Dual					350 W				Standard				100 µA	650 V				2.3V @ 15V, 100A				沟渠现场停车						有		6 nF @ 25 V			IGBT硅模块
FS150R06KE3BOSA1	Infineon Technologies	数据表	10 In Stock	1: ¥765.371731 10: ¥722.048805 100: ¥681.178120 500: ¥642.620869 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON								150A	6				-40°C~150°C TJ		2002			no	活跃	1 (Unlimited)	35	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED					35	R-XUFM-X35		三相逆变器			ISOLATED		430W		不含卤素	N-CHANNEL	Standard				1mA	600V			180 ns	1.9V @ 15V, 150A			450 ns	沟渠现场停车						无		9.3nF @ 25V								ROHS3 Compliant	含铅
APTGT300DA60G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP6	NO	5	SP6	5	SILICON	1.4 V	430 A	20 V	500 nA	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	微芯片技术	430 A	APTGT300	活跃	600 V	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	FLANGE MOUNT	1	UNSPECIFIED	170 ns	320 ns	未说明	175 °C	有	APTGT300DA60G	RECTANGULAR	1	活跃	MICROSEMI CORP	5.21			Details	600 V	1.15 kW	- 40 C	+ 100 C	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-	e1	有				EAR99	锡银铜	150 °C	-40 °C	雪崩额定	1.15 kW	UPPER	UNSPECIFIED	未说明	compliant			5	R-XUFM-X5	不合格	Single	Single		ISOLATED		1150 W	电源控制		N-CHANNEL	Standard	600 V	430 A		350 µA	600 V	24 nF			1.8V @ 15V, 300A	430 A	430		沟渠现场停车	600 V					无		24 nF @ 25 V	IGBT硅模块
IFF600B12ME4PB11BPSA1	Infineon Technologies	数据表	2377 In Stock	1: ¥1,599.321706 10: ¥1,508.794063 100: ¥1,423.390621 500: ¥1,342.821340 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON								600A	2				-40°C~150°C TJ		2017	EconoDUAL™ 3			活跃	1 (Unlimited)	13	EAR99				UL 认证		UPPER	UNSPECIFIED						R-XUFM-X13		半桥			ISOLATED		40W	电源控制		N-CHANNEL	Standard				3mA	1200V			250 ns	2.1V @ 15V, 600A			750 ns	沟渠现场停车						有		37nF @ 25V								ROHS3 Compliant
FS300R12KE3BOSA1	Infineon Technologies	数据表	2512 In Stock	1: ¥2,831.559489 10: ¥2,671.282541 100: ¥2,520.077865 500: ¥2,377.431953 查看所有的价格 -	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14 Weeks	底座安装	Module	NO	SILICON								500A	6				-40°C~125°C TJ		2002			no	不用于新设计	1 (Unlimited)	29	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED	未说明			未说明	29	R-XUFM-X29	不合格	三相逆变器			ISOLATED		1450W			N-CHANNEL	Standard				5mA	1200V			400 ns	2.15V @ 15V, 300A			810 ns	沟渠现场停车						有		21nF @ 25V								ROHS3 Compliant
APTGTQ100DDA65T3G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP3F	SP3F	1.65 V	100 A	240 nA	微芯片技术					650 V	250 W	- 40 C	+ 125 C	20 V	底座安装	1	3.880136 oz	Bulk	100 A	APTGTQ100	活跃					-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																					Dual					250 W				Standard				100 µA	650 V				2.2V @ 15V, 100A				-						有		6 nF @ 25 V			IGBT硅模块
APTGLQ300H65G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	SP6	SP6	1.85 V	385 A	500 nA	3.880136 oz	Bulk	微芯片技术	600 A	APTGLQ300	活跃	175 °C	有	APTGLQ300H65G	1	活跃	MICROSEMI CORP	5.73									Details	650 V	1 kW	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-						EAR99									compliant						全桥		1			1000 W				Standard				300 µA	650 V		1000 W		2.3V @ 15V, 300A	600 A	385		沟渠现场停车	650 V					无	20 V	18.3 nF @ 25 V	2.3 V		IGBT硅模块
APTGT30A170T1G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 months ago)	Chassis Mount, Screw	底座安装	SP1-12	1	SP1	2 V	45 A	600 nA	微芯片技术			Details	1.7 kV	210 W	- 40 C	+ 100 C	20 V	底座安装	1	2.821917 oz	Bulk	45 A	APTGT30	活跃	1.7 kV				-40°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-											210 W										Dual	Dual				210 W				Standard	2.4 V	45 A		250 µA	1700 V	2.5 nF			2.4V @ 15V, 30A		45		沟渠现场停车						有		2.5 nF @ 25 V			IGBT硅模块
APTGT75H60T1G	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	SP1-12	SP1	1.5 V	100 A	600 nA	微芯片技术							Details	2.821917 oz	1	底座安装	20 V	+ 100 C	- 40 C	250 W	600 V	Bulk	100 A	APTGT75	活跃			-40°C ~ 175°C (TJ)	Tube		-																					全桥					250 W				Standard				250 µA	600 V				1.9V @ 15V, 75A		100		沟渠现场停车						有		4.62 nF @ 25 V			IGBT硅模块
FF800R17KE3NOSA1	Infineon Technologies	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	36 Weeks	Screw	底座安装	Module	130	SILICON										2	-40°C~125°C		2002			no	不用于新设计	不适用	10	EAR99						UPPER	UNSPECIFIED					10	R-XUFM-X10		2 Independent	Dual		ISOLATED		4450W		不含卤素	N-CHANNEL	Standard	1.7kV	1.15kA		5mA	1700V			900 ns	2.45V @ 15V, 800A			1900 ns							无		72nF @ 25V				38mm	140mm	130mm		Non-RoHS Compliant	含铅
APT85GR120J	Microchip Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	底座安装	ISOTOP-4	SOT-227	3.5 V	118 A	250 nA	微芯片技术					Details	1200 V	595 W	- 55 C	+ 150 C	30 V	SMD/SMT	1	Tube	116 A	APT85GR120	活跃					-55°C ~ 150°C (TJ)	Tube		-																					Single					543 W				Standard				1 mA	1200 V				3.2V @ 15V, 85A				NPT						无		8.4 nF @ 25 V			IGBT硅模块