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首页 全部分类 CSD23202W10T vs NTLJD2104PTAG

CSD23202W10T备选型号: NTLJD2104PTAG

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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
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  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Texas Instruments
    CSD23202W10T
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD23202W10TMOSFET Transistor, P Channel, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, DSBGA
    4
    SILICON
    2.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    260
    未说明
    CSD23202
    1
    Single
    增强型MOSFET
    9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    53m Ω @ 500mA, 4.5V
    900mV @ 250μA
    512pF @ 6V
    3.8nC @ 4.5V
    4ns
    12V
    21 ns
    2.2A
    -600mV
    -6V
    -12V
    37 pF
    625μm
    0m
    0m
    650μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTLJD2104PTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    -
    无铅
    未说明
    未说明
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    90m Ω @ 3A, 4.5V
    800mV @ 250μA
    467pF @ 6V
    8nC @ 4.5V
    12.3ns
    12V
    16.2 ns
    2.4A
    -
    8V
    -12V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2008
    EAR99
    700mW
    unknown
    6
    不合格
    2.3W
    DRAIN
    3.5A
    0.12Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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