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首页 全部分类 CSD87588N vs FDMC7208S

CSD87588N备选型号: FDMC7208S

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  • 操作温度
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  • 无铅代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 模拟 IC - 其他类型
  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 控制技术
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD87588N
    Texas Instruments
    MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    8 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    5-XFLGA
    5
    25A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    6W
    BOTTOM
    无铅
    260
    1
    未说明
    CSD87588
    开关稳压器
    Dual
    2 N-Channel (Half Bridge)
    9.6m Ω @ 15A, 10V
    1.9V @ 250μA
    脉宽调制
    736pF @ 15V
    4.1nC @ 4.5V
    36.7ns
    6.3 ns
    15A
    20V
    30V
    逻辑电平门
    5mm
    0.4mm
    2.5mm
    400μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMC7208S
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    23 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    12A 16A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    800mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Dual
    2 N-Channel (Dual)
    9m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    -
    1130pF @ 15V
    18nC @ 10V
    -
    2 ns
    16A
    20V
    30V
    逻辑电平门
    3mm
    -
    3mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    196mg
    SILICON
    2010
    4
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    S-PDSO-N4
    增强型MOSFET
    1.9W
    DRAIN
    7 ns
    SWITCHING
    12A
    0.009Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    55 pF
    750μm
    无
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