EFC4621R-TR备选型号: ECH8697R-TL-W

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 无卤素
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-XFBGA, FCBGA
    4
    26 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2016
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.6W
    2
    Dual
    340 ns
    2 N-Channel (Dual)
    无卤素
    29nC @ 4.5V
    600ns
    24V
    28 μs
    9A
    12.5V
    9A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    18mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    -
    19.7 μs
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.5W
    2
    Dual
    160 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    6nC @ 4.5V
    230ns
    24V
    23.6 μs
    10A
    12.5V
    -
    -
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e6
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    not_compliant
    11.6m Ω @ 5A, 4.5V
    24V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN2014LHAB-7 DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 6-UFDFN Exposed Pad MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 对比
DMP2018LFK-7 DMP2018LFK-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 6-PowerUDFN MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN 对比
EFC6605R-TR EFC6605R-TR ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 6-SMD, No Lead MOSFET NCH NCH 10A 24V 2.5V DRIV 对比