IRF7316GTRPBF备选型号: IRF7379TRPBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 操作模式
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 无铅
- MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SO4.9A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C2WIRF7316GPBFDual2W13 ns2W2 P-Channel (Dual)58mOhm @ 4.9A, 10V1V @ 250μA710pF @ 25V34nC @ 10V20ns30V48 ns4.9A20V-30V710pF逻辑电平门58mOhm58 mΩ1.4986mm4.9784mm3.9878mm无符合RoHS标准---------------
- MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-5.8A 4.3A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004不用于新设计1 (Unlimited)--2.5WIRF7379PBF-2.5W--N and P-Channel45m Ω @ 5.8A, 10V1V @ 250μA520pF @ 25V25nC @ 10V---5.8A20V30V-Standard--1.4986mm4.9784mm3.9878mm无ROHS3 Compliant12 WeeksSILICONe38Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼5.8A增强型MOSFETSWITCHINGN-CHANNEL AND P-CHANNEL0.045Ohm46AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7406TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC | 对比 |
![]() | STS4DNFS30 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | 对比 |
![]() | IRF7303QTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | 对比 |




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