N/A

-

底座安装

SP6

SP6

1.8 V

610 A

Bulk

微芯片技术

610 A

APTGL475

活跃

175 °C

有

APTGL475U120DAG

1

活跃

MICROSEMI CORP

5.69

Details

1.2 kV

2.307 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

EAR99

compliant

Single

2.307

2307 W

Standard

4 mA

1200 V

2307 W

2.2V @ 15V, 400A

610 A

610

沟渠现场停车

1200 V

无

20 V

24.6 nF @ 25 V

2.2 V

IGBT硅模块

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SOT-227-4

4

ISOTOP®

30.000004 g

2.5 V

87 A

100 nA

微芯片技术

900 V

284 W

- 55 C

+ 150 C

30 V

底座安装

1

POWER MOS 8, ISOTOP

1.058219 oz

Tube

87 A

APT46GA90

活跃

900 V

Details

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

POWER MOS 8™

150 °C

-55 °C

284 W

Single

Single

284

284 W

Standard

900 V

87 A

- 55 C to + 150 C

350 µA

900 V

4.17 nF

3.1V @ 15V, 47A

87

PT

无

4.17 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

无

N/A

-

底座安装

ISOTOP-4

SOT-227

3.5 V

118 A

250 nA

微芯片技术

Details

1200 V

595 W

- 55 C

+ 150 C

30 V

SMD/SMT

1

Tube

116 A

APT85GR120

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Single

595

543 W

Standard

1.1 mA

1200 V

3.2V @ 15V, 85A

118

NPT

无

8.4 nF @ 25 V

IGBT硅模块

N/A

-

通孔

TO-264-3

NO

TO-264

3

SILICON

3.5 V

170 A

250 nA

30 V

通孔

1

0.352740 oz

Tube

微芯片技术

170 A

APT85GR120

活跃

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

113 ns

-55 °C

445 ns

150 °C

有

APT85GR120L

RECTANGULAR

1

活跃

MICROSEMI CORP

2.15

Details

1200 V

962 W

- 55 C

+ 150 C

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

EAR99

SINGLE

THROUGH-HOLE

compliant

R-PSFM-T3

Single

962

COLLECTOR

Standard

962 W

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

TO-264AA

1200 V

962 W

3.2V @ 15V, 85A

170 A

170

NPT

1200 V

660 nC

340 A

43ns/300ns

6mJ (on), 3.8mJ (off)

30 V

6.5 V

IGBT硅模块

N/A

-

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

3.2 V

170 A

900 nA

微芯片技术

Details

1200 V

830 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

底座安装

1

Thunderbolt IGBT, ISOTOP

1.058219 oz

Tube

170 A

APT150

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

Thunderbolt IGBT®

Single

830 W

Standard

- 55 C to + 150 C

150 µA

1200 V

3.7V @ 15V, 150A

NPT

无

9.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

N/A

-

底座安装

SP1

SP1

2.05 V

170 A

150 nA

微芯片技术

1200 V

520 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

Bulk

170 A

APTGLQ100

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

520 W

Standard

50 µA

1200 V

2.42V @ 15V, 100A

沟渠现场停车

有

6.15 nF @ 25 V

IGBT硅模块

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

32

SP3

1.5 V

80 A

600 nA

微芯片技术

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

80 A

APTGT50

活跃

600 V

Details

600 V

176 W

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

176 W

Dual

Dual

176 W

Standard

600 V

80 A

250 µA

600 V

3.15 nF

1.9V @ 15V, 50A

80

沟渠现场停车

有

3.15 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

N/A

-

底座安装

SOT-227-4

NO

ISOTOP®

4

SILICON

1.5 V

283 A

- 55 C

+ 175 C

600 nA

20 V

底座安装

1

ISOTOP

1.058219 oz

微芯片技术

Tube

283 A

APT200

活跃

ISOTOP-4 PIN

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

130 ns

ISOTOP

660 ns

未说明

175 °C

有

APT200GN60JDQ4

RECTANGULAR

1

活跃

MICROSEMI CORP

1.52

ISOTOP

Details

600 V

682 W

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

unknown

4

R-PUFM-X4

不合格

Single

682

ISOLATED

682 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

- 55 C to + 175 C

50 µA

600 V

682 W

1.85V @ 15V, 200A

283 A

283

沟渠现场停车

600 V

无

20 V

14.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

N/A

-

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

1.7 V

215 A

600 nA

微芯片技术

Details

1.2 kV

625 W

- 55 C

+ 150 C

30 V

底座安装

1

ISOTOP

1.058219 oz

Tube

215 A

APT150

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Single

625

625 W

Standard

- 55 C to + 150 C

300 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 150A

215

沟渠现场停车

无

9.5 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

N/A

-

底座安装

SP4

SP4

1.7 V

110 A

400 nA

微芯片技术

3.880136 oz

1

底座安装

20 V

+ 125 C

- 40 C

357 W

1.2 kV

Details

Bulk

110 A

APTGT75

活跃

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Single

357 W

Standard

250 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 75A

110

沟渠现场停车

有

5.34 nF @ 25 V

IGBT硅模块

N/A

-

底座安装

SP-3

NO

SP3

25

SILICON

1.5 V

80 A

600 nA

20 V

底座安装

1

7.863095 oz

Bulk

微芯片技术

80 A

APTGT50

活跃

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

170 ns

310 ns

未说明

175 °C

有

APTGT50X60T3G

RECTANGULAR

6

活跃

MICROSEMI CORP

5.71

Details

600 V

176 W

- 40 C

+ 175 C

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

25

R-XUFM-X25

不合格

3-Phase Inverter

176

ISOLATED

176 W

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

Standard

- 40 C to + 175 C

250 µA

600 V

176 W

1.9V @ 15V, 50A

80 A

80

沟渠现场停车

600 V

有

20 V

3.15 nF @ 25 V

1.9 V

IGBT硅模块

11.5 mm

73.4 mm

40.8 mm

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

NO

12

SP6

12

SILICON

1.4 V

430 A

500 nA

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

微芯片技术

430 A

APTGT300

活跃

8541290080, 8541500080/8541500080/8541500080/8541500080/8541500080

600 V

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

170 ns

320 ns

未说明

175 °C

有

APTGT300H60G

RECTANGULAR

4

活跃

MICROSEMI CORP

5.19

Details

600 V

1.15 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

175 °C

-40 °C

雪崩 额定

1.15 kW

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

12

R-XUFM-X12

不合格

全桥

1.15

ISOLATED

1150 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

600 V

430 A

350 µA

600 V

24 nF

1.8V @ 15V, 300A

430 A

430

沟渠现场停车

600 V

无

24 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

N/A

-

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

1.5 V

220 A

600 nA

微芯片技术

Details

600 V

536 W

- 55 C

+ 175 C

30 V

底座安装

1

ISOTOP

1.058219 oz

Tube

220 A

APT150

活跃

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

536

536 W

Standard

- 55 C to + 175 C

50 µA

600 V

1.85V @ 15V, 150A

220

沟渠现场停车

无

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

N/A

-

Production (Last Updated: 1 month ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

16

SP3

1.85 V

80 A

400 nA

微芯片技术

1.2 kV

280 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

5.783519 oz

Bulk

80 A

APTGL60

活跃

1.2 kV

Details

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

280 W

Dual

Dual

280 W

Standard

1.2 kV

80 A

250 µA

1200 V

2.77 nF

2.25V @ 15V, 50A

80

沟渠现场停车

有

2.77 nF @ 25 V

IGBT硅模块

N/A

-

通孔

T-Max-3

T-MAX™ [B2]

2.2 V

100 A

100 nA

微芯片技术

Details

600 V

1041 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

通孔

1

Tube

100 A

APT80GP60

活跃

Tube

POWER MOS 7®

Single

Standard

1041 W

600 V

2.7V @ 15V, 80A

PT

IGBT硅模块

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3F-32

NO

32

SP3

25

SILICON

1.7 V

75 A

400 nA

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

微芯片技术

75 A

APTGT50

活跃

8541290080

420 ns

1.2 kV

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

140 ns

610 ns

未说明

150 °C

有

APTGT50DDA120T3G

RECTANGULAR

2

活跃

MICROSEMI CORP

5.17

Details

1200 V

270 W

- 40 C

+ 125 C

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

150 °C

-40 °C

雪崩 额定

270 W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

25

R-XUFM-X25

不合格

Dual

Dual

270 W

ISOLATED

90 ns

270 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2 kV

75 A

250 µA

1200 V

3.6 nF

2.1V @ 15V, 50A

75 A

175 °C

75

沟渠现场停车

1200 V

有

3.6 nF @ 25 V

IGBT硅模块

12.1 mm

无

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis, Screw, Stud

Chassis, Stud Mount

ISOTOP-4

4

SOT-227

1.85 V

65 A

400 nA

微芯片技术

- 55 C

+ 175 C

20 V

SMD/SMT

1

Bulk

65 A

APT40GL120

活跃

1.2 kV

Details

1200 V

220 W

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

220 W

Single

Single

220

220 W

Standard

2.25 V

65 A

250 µA

1200 V

1.95 nF

2.25V @ 15V, 35A

65

沟渠现场停车

无

1.95 nF @ 25 V

IGBT硅模块

N/A

-

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

1.5 V

220 A

600 nA

微芯片技术

Details

600 V

536 W

- 55 C

+ 175 C

30 V

底座安装

1

ISOTOP

1.058219 oz

Tube

220 A

APT150

活跃

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

536 W

Standard

- 55 C to + 175 C

25 µA

600 V

1.85V @ 15V, 150A

沟渠现场停车

无

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP4

20

SP4

2 V

75 A

400 nA

微芯片技术

1.7 kV

312 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

75 A

APTGT50

活跃

1.7 kV

Details

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

312 W

Single

Single

312 W

Standard

1.7 kV

75 A

250 µA

1700 V

4.4 nF

2.4V @ 15V, 50A

75

沟渠现场停车

有

4.4 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

N/A

-

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

3.3 V

128 A

100 nA

微芯片技术

Details

1200 V

543 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

底座安装

1

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

1.058219 oz

Tube

128 A

APT75GP120

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

POWER MOS 7®

Single

543

543 W

Standard

- 55 C to + 150 C

1.25 mA

1200 V

3.9V @ 15V, 75A

128

PT

无

7.04 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6-P

21

SP6-P

1.5 V

225 A

400 nA

微芯片技术

600 V

480 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

225 A

APTGT150

活跃

600 V

Details

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

480 W

3-Phase

480

480 W

Standard

600 V

225 A

250 µA

600 V

9.2 nF

1.9V @ 15V, 150A

225

沟渠现场停车

无

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SOT-227-4

4

ISOTOP®

30.000004 g

3.3 V

128 A

100 nA

微芯片技术

Details

1.2 kV

543 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

底座安装

1

POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

1.058219 oz

Tube

128 A

APT75GP120

活跃

1.2 kV

1.2 kV

163 ns

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

POWER MOS 7®

150 °C

-55 °C

543 W

128 A

Single

Single

543

20 ns

543 W

Standard

1.2 kV

128 A

- 55 C to + 150 C

1 mA

1200 V

7.04 nF

3.9V @ 15V, 75A

128

PT

无

7.04 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

无

无铅

N/A

-

底座安装

SP6

SP6

1.8 V

305 A

微芯片技术

Details

1.2 kV

1 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

305 A

APTGL240

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

三级逆变器

1000 W

Standard

2 mA

1200 V

2.2V @ 15V, 200A

305

沟渠现场停车

无

12.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

5

SP6

1.7 V

560 A

800 nA

微芯片技术

1.2 kV

1.785 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

560 A

APTGT400

活跃

1.2 kV

Details

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

1.785 kW

Single

Single

1.785

1785 W

Standard

1.2 kV

560 A

750 µA

1200 V

28 nF

2.1V @ 15V, 400A

560

沟渠现场停车

无

28 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

N/A

-

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

32

SP3

2 V

45 A

600 nA

微芯片技术

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

45 A

APTGT30

活跃

1.7 kV

Details

1.7 kV

210 W

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

210 W

全桥

210 W

Standard

1.7 kV

45 A

250 µA

1700 V

2.5 nF

2.4V @ 15V, 30A

45

沟渠现场停车

有

2.5 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无