Advanced AGR09090EF

安装类型

Surface Mount, MLCC

包装/外壳

1111 (2828 Metric)

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

厂商

American Technical Ceramics

Product Status

活跃

Voltage Rated

300V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

AGR09090EF

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

BROADCOM LTD

Risk Rank

5.31

Drain Current-Max (ID)

8.5 A

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

Porcelain Superchip® ATC 100B

包装

Tray

尺寸/尺寸

0.110 L x 0.110 W (2.79mm x 2.79mm)

容差

±5%

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

温度系数

P90

端子表面处理

锡铅

应用

RF, Microwave, High Frequency, Bypass, Decoupling

附加功能

HIGH RELIABILITY

电容量

180 pF

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-CDFM-F2

资历状况

不合格

失败率

-

引线间距

-

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

引线样式

-

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.5 A

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

219 W

最高频段

超高频段

特征

High Q, Low Loss, Low ESL

产品类别

射频MOSFET晶体管

座位高度(最大)

-

厚度（最大）

0.102 (2.59mm)

评级结果

-