Advanced AGR19180EF

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

BROADCOM LTD

Risk Rank

5.25

Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

200 °C

Manufacturer Part Number

AGR19180EF

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

包装

Tray

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

射频功率MOSFET

端子表面处理

锡铅

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-CDFM-F4

资历状况

不合格

配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

射频MOSFET晶体管

DS 击穿电压-最小值

65 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

500 W

最高频段

L带

产品类别

射频MOSFET晶体管