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技术文档
型号
AGR21045EF
品牌
Advanced
utmel 编号
42-AGR21045EF
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
封装
Axial
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 10Watt Gain 14.5dB
起订量
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AGR21045EF详情
技术参数
Advanced AGR21045EF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
表面安装
YES
供应商器件包装
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
200 °C
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Avago Technologies
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
AVAGO TECHNOLOGIES INC
Risk Rank
5.31
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)
容差
±0.5%
JESD-609代码
e0
零件状态
终止次数
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±25ppm/°C
电阻
1.13 kOhms
端子表面处理
锡铅
组成
Metal Film
功率(瓦特)
0.125W, 1/8W
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
FET 通用电源
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
失败率
R (0.01%)
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
117 W
最高频段
S带
特征
Military, Moisture Resistant, Weldable
座位高度(最大)
--
AGR21045EF拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:MRF141G
封装:Axial
品牌:Advanced
库存:0
型号:BLF861A
型号:AGR21090EF
型号:AGR26125EF
封装:--
型号:AGR19180EF
型号:AGR09045EF
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