AGR21060EF
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Advanced AGR21060EF

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型号

AGR21060EF

品牌

Advanced

utmel 编号

42-AGR21060EF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

0603 (1608 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB

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AGR21060EF
AGR21060EF Advanced RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB

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AGR21060EF详情

Advanced AGR21060EF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    0603 (1608 Metric)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    0603

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    RS73G1JRT

  • 厂商

    KOA Speer Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    10

  • Manufacturer

    Advanced Semiconductor, Inc.

  • Brand

    Advanced Semiconductor, Inc.

  • RoHS

    Details

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Manufacturer Part Number

    AGR21060EF

  • Risk Rank

    5.25

  • Ihs Manufacturer

    BROADCOM LTD

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Number of Elements

    1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    RS73-RT

  • 包装

    Tray

  • 尺寸/尺寸

    0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)

  • 容差

    ±0.25%

  • JESD-609代码

    e0

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    ±50ppm/°C

  • 电阻

    43.2 Ohms

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 组成

    厚膜

  • 功率(瓦特)

    0.2W, 1/5W

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 资历状况

    不合格

  • 失败率

    -

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

  • DS 击穿电压-最小值

    65 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    175 W

  • 最高频段

    S带

  • 特征

    Automotive AEC-Q200

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

  • 座位高度(最大)

    0.022 (0.55mm)

  • 评级结果

    AEC-Q200

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