BLX13C详情
Advanced BLX13C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
SOT-120
RoHS
Non-Compliant
Emitter- Base Voltage VEBO
4 V
Pd - Power Dissipation
73 W
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
10
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Advanced Semiconductor, Inc.
Brand
Advanced Semiconductor, Inc.
Maximum DC Collector Current
9 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
36 V
包装
Tray
类型
射频双极功率
子类别
Transistors
技术
Si
工作频率
28 MHz
产品类别
射频双极晶体管
晶体管类型
双极电源
连续集电极电流
3 A
产品类别
射频双极晶体管
BLX13C拓展信息








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