MRF1000MB详情
Advanced MRF1000MB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
332A-03
RoHS
Non-Compliant
Emitter- Base Voltage VEBO
3.5 V
Pd - Power Dissipation
7 W
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
15
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Advanced Semiconductor, Inc.
Brand
Advanced Semiconductor, Inc.
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
包装
Tray
类型
射频双极功率
性别
Female
子类别
Transistors
技术
Si
工作频率
1090 MHz
触点样式
Pin
产品类别
射频双极晶体管
晶体管类型
双极电源
连续集电极电流
200 mA
产品类别
射频双极晶体管
MRF1000MB拓展信息








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