Advanced MRF951

包装/外壳

Axial

表面安装

YES

供应商器件包装

Axial

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Emitter- Base Voltage VEBO

1.5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

50

Unit Weight

0.035687 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Advanced Semiconductor, Inc.

Brand

Advanced Semiconductor, Inc.

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

10 V

Package Description

DISK BUTTON, O-CRDB-F4

Package Style

磁盘按钮

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MRF951

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ASI SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

4.75

操作温度

-55°C ~ 250°C

系列

Military, MIL-PRF-39007, RWR80S

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.094 Dia x 0.406 L (2.39mm x 10.31mm)

容差

±1%

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±20ppm/°C

类型

射频双极小信号

电阻

357 Ohms

组成

Wirewound

功率(瓦特)

2W

附加功能

低噪音

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-CRDB-F4

资历状况

不合格

工作频率

2 GHz

失败率

R (0.01%)

配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

射频双极晶体管

晶体管类型

Bipolar

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

50

连续集电极电流

100 mA

集电极-发射器电压-最大值

10 V

最高频段

L带

特征

Military, Moisture Resistant

产品类别

射频双极晶体管

座位高度(最大)

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