AM29F080B-120EC/T详情
AMD AM29F080B-120EC/T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
40
供应商器件包装
Axial
终端数量
40
RoHS
Non-Compliant
Memory Types
NOR
Package Description
TSOP-40
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
120 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
AM29F080B-120ECT
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
AMD
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
ADVANCED MICRO DEVICES INC
Part Package Code
TSOP
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)
容差
±1%
零件状态
活跃
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±50ppm/°C
类型
NOR型号
电阻
26.1 kOhms
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
组成
Metal Film
功率(瓦特)
0.125W, 1/8W
HTS代码
8542.32.00.51
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
40
JESD-30代码
R-PDSO-G40
资历状况
不合格
工作电源电压
5 V
失败率
R (0.01%)
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
界面
Parallel
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
电源电流
40 mA
操作模式
ASYNCHRONOUS
访问时间
120 ns
组织结构
1MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
地址总线宽度
20 b
密度
8 Mb
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
同步/异步
Asynchronous
字长
8 b
内存IC类型
FLASH
编程电压
5 V
特征
Military, Moisture Resistant, Weldable
座位高度(最大)
--
宽度
10 mm
长度
18.4 mm
AM29F080B-120EC/T拓展信息
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
AMD
Advanced Micro Devices
Advanced Micro Devices
AMD
AMD








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