AM29F080B-120EC/T
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AMD AM29F080B-120EC/T

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型号

AM29F080B-120EC/T

品牌

AMD

utmel 编号

126-AM29F080B-120EC/T

商品类别

存储器

封装

Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

1M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO40

起订量

1最小包装量--

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AM29F080B-120EC/T
AM29F080B-120EC/T AMD 1M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO40

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AM29F080B-120EC/T详情

AMD AM29F080B-120EC/T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    Axial

  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    40

  • 供应商器件包装

    Axial

  • 终端数量

    40

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Memory Types

    NOR

  • Package Description

    TSOP-40

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

  • Number of Words Code

    1000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Access Time-Max

    120 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Manufacturer Part Number

    AM29F080B-120ECT

  • Number of Words

    1048576 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    TSOP1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    AMD

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    ADVANCED MICRO DEVICES INC

  • Part Package Code

    TSOP

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55

  • 包装

    Bulk

  • 尺寸/尺寸

    0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)

  • 容差

    ±1%

  • 零件状态

    活跃

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 温度系数

    ±50ppm/°C

  • 类型

    NOR型号

  • 电阻

    26.1 kOhms

  • 最高工作温度

    70 °C

  • 最小工作温度

    0 °C

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.125W, 1/8W

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.5 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    40

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G40

  • 资历状况

    不合格

  • 工作电源电压

    5 V

  • 失败率

    R (0.01%)

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    4.5 V

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    5.5 V

  • 最小电源电压

    4.5 V

  • 电源电流

    40 mA

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 访问时间

    120 ns

  • 组织结构

    1MX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    8

  • 地址总线宽度

    20 b

  • 密度

    8 Mb

  • 记忆密度

    8388608 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    8 b

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    5 V

  • 特征

    Military, Moisture Resistant, Weldable

  • 座位高度(最大)

    --

  • 宽度

    10 mm

  • 长度

    18.4 mm

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