AMI Semiconductor FDC6302P
- 收藏
- 对比
FDC6302P
137-FDC6302P
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

FDC6302P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
FDC6302P详情
AMI Semiconductor FDC6302P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件包装
SuperSOT™-6
材料
PO, Polyolefin
RoHS
Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120mA
Other Names
FDC6302P-ND FDC6302PTR
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
颜色
Black
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ohm @ 200mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
11pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.31nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
25V
场效应管特性
逻辑电平门
长度
30.48 m
FDC6302P拓展信息
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor
AMI Semiconductor







哦! 它是空的。