NVMFD5483NLT1G
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AMI Semiconductor NVMFD5483NLT1G

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型号

NVMFD5483NLT1G

utmel 编号

137-NVMFD5483NLT1G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NVMFD5483NLT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from AMI Semiconductor stock available at utmel

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NVMFD5483NLT1G详情

AMI Semiconductor NVMFD5483NLT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 供应商器件包装

    8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Lead Free Status / RoHS Status

    Lead free / RoHS Compliant

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    6.4A

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 功率 - 最大

    3.1W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    36 mOhm @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    668pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    23.4nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

0个相似型号

NVMFD5483NLT1G拓展信息

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