AMI Semiconductor NTLJD2104PTAG
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NTLJD2104PTAG
137-NTLJD2104PTAG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-WDFN Exposed Pad
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NTLJD2104PTAG datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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NTLJD2104PTAG详情
AMI Semiconductor NTLJD2104PTAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
供应商器件包装
6-WDFN (2x2)
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.4A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
90 mOhm @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
467pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
场效应管特性
逻辑电平门
NTLJD2104PTAG拓展信息
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