AMI Semiconductor NVMFD5C478NT1G
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NVMFD5C478NT1G
137-NVMFD5C478NT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
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1最小包装量--
NVMFD5C478NT1G详情
AMI Semiconductor NVMFD5C478NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Wall
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件包装
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
RoHS
Compliant
Lead Free Status
Lead free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9.8A (Ta), 27A (Tc)
Other Names
NVMFD5C478NT1GOSDKR
包装
Bulk
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
Crimp
性别
Female
方向
Straight
接头数量
3
功率 - 最大
3.1W (Ta), 23W (Tc)
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
17 mOhm @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 20µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
325pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.3nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
场效应管特性
Standard
辐射硬化
无
NVMFD5C478NT1G拓展信息
AMI Semiconductor
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