AMI Semiconductor NTMD6N02R2G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SOIC

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.92A

Other Names

NTMD6N02R2GOS NTMD6N02R2GOS-ND NTMD6N02R2GOSTR

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

基本部件号

NTMD6N02

功率 - 最大

730mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

35 mOhm @ 6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

场效应管特性

逻辑电平门